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[发明专利]涡轮壳体用保温装置、保温块的固定器具以及固定方法-CN201880025291.6有效
发明人：阿部飞太;黑川祐二;和泉卓也;中尾猛;井手启介;古贺理 -专利权人：三菱动力株式会社
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： F01D25/24 文献下载
摘要：覆盖涡轮壳体主体(2)的保温块(3)的固定器具(4)具有：固定棒(41)，在一端具有包括突起(412)的卡合部(431)；以及插口(42)。插口(42)具有供固定棒(41)的突起(412)进入的引导槽(421)以及凹设槽(422)。引导槽(421)具有：第一引导槽(421a)，沿插口轴线方向从始端(A1)延伸到终端(B1)；以及第二引导槽(421b)，始端A2与终端B1连接，沿相对于插口轴线的周向从始端A2延伸到终端B2。第二引导槽(421b)与凹设槽(422)连接。
涡轮壳体保温装置固定器具以及方法

[发明专利]半导体装置-CN201480064634.1有效
发明人：齐藤贵翁;金子诚二;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;松尾拓哉;森重恭;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
半导体装置

[发明专利]液晶显示面板及其制造方法-CN201580019855.1有效
发明人：高丸泰;金子诚二;齐藤贵翁;神崎庸辅;井手启介;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
液晶显示面板及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201580007934.0有效
发明人：神崎庸辅;金子诚二;齐藤贵翁;高丸泰;井手启介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×10²¹个/cm³以下的硅氮化物膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201580054605.1在审
发明人：齐藤贵翁;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;金子诚二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包含由氧化物半导体构成的半导体层的半导体装置中，抑制TFT间的特性的参差不齐的产生。在由氧化物半导体构成的半导体层(11)的上层形成钝化膜(17)的半导体装置(100)的制造过程中，以使得半导体层(11)的与钝化膜(17)的界面的纯金属比率(纯金属与半导体层(11)的所有构成成分的比例)高于该半导体层(11)的主体中的纯金属比率的方式，设定钝化膜(17)的成膜条件。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201580047034.9在审
发明人：齐藤贵翁;金子诚二;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;松尾拓哉 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：阵列基板(半导体装置)(11b)包括氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。
半导体装置制造方法