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[发明专利]一种半导体用热沉材料-CN201710285845.3在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。该热沉材料具有良好的效果，且更容易与LED芯片贴合，表面绝缘性及阻燃性能良好。
一种半导体用热沉材料

[发明专利]一种半导体陶瓷釉-CN201710285837.9有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，尤其是一种半导体陶瓷釉，其原料按重量份计为：石灰石20～30份、长石40～50份、石英石40～50份、粉煤灰25～30份、氧化锌5～10份、纳米二氧化钛10～15份、铁褐矿30～40份、三氧化二锑8～12份、纳米银5～10份、锂辉石5～10份、羧甲基纤维素15～20份、石墨烯3～8份、水性流变助剂8～12份。产品具有良好的导电性能，具有良好的熔融性能，同时热膨胀系数低、机械强度高、釉面光洁、抗老化能力强、使用寿命长等特点。而且该陶瓷釉料可以有效杀菌，具有一定的自洁性。
一种半导体陶瓷

[发明专利]一种抗静电阻燃母粒-CN201710285844.9在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，尤其是一种抗静电阻燃母粒，其原料按重量份计为：三氧化二锑25～35份、空心玻璃微珠15～25份、微胶囊化红磷8～12份、氢氧化钠45～55份、高分子聚氧乙烯20～30份、聚醚型改性硅氧烷10～15份、载体树脂55～65份、水30～40份、分散剂2～5份、防沉剂1～3份。阻燃效果良好，且抗静电效果好，可以有效保障使用安全。
一种抗静电阻燃

[实用新型]多级蒸馏提纯装置-CN201621406472.8有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多级蒸馏提纯装置，包括蒸馏组件、与蒸馏组件连接的冷凝组件，蒸馏组件包括蒸馏炉、设置在蒸馏炉中部的坩埚，坩埚外壁由内向外依次包裹有传热层、加热层和隔热层，坩埚顶部设置有坩埚盖，蒸馏炉顶部设置有炉盖，蒸馏组件还包括设置在蒸馏炉一侧的搅拌组件，搅拌组件包括安装在蒸馏炉一侧外部的搅拌电机、搅拌轴，搅拌轴一端与搅拌电机转动连接，搅拌轴另一端设置有搅动叶轮，冷凝组件包括蒸汽收集罩、多个首尾相连的U型冷凝管，最后一个U型冷凝管出气端连接有抽风机。其结构简单，蒸汽受热均匀，且同时能分离多种杂质，蒸馏提纯效率高、蒸馏精度高。
多级蒸馏提纯装置

[实用新型]一种高纯金属真空蒸馏装置-CN201621406486.X有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯金属真空蒸馏装置，包括蒸馏组件和与蒸馏组件连接的冷凝组件，蒸馏组件包括蒸馏炉、设置在蒸馏炉中部的坩埚，坩埚外壁由内向外依次包裹有传热层、加热层和隔热层，坩埚顶部设置有坩埚盖，蒸馏炉顶部设置有炉盖，蒸馏组件还包括设置在蒸馏炉一侧的搅拌组件，搅拌组件包括安装在蒸馏炉一侧外部的搅拌电机、贯穿蒸馏炉和坩埚一边侧壁的搅拌轴，搅拌轴另一端设置有搅动叶轮，搅动叶轮上设置有通孔，冷凝组件包括蒸汽收集罩、U型冷凝管，蒸汽收集罩穿过炉盖与坩埚盖连通，U型冷凝管另一端连接有抽风机。其结构简单，使蒸汽受热均匀上升快速，冷凝快速，蒸馏提纯效率高。
一种高纯金属真空蒸馏装置

[发明专利]一种三氧化二锑阻燃剂-CN201710285842.X在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C08K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及阻燃技术领域，尤其是一种三氧化二锑阻燃剂。其原料按重量份计为三氧化二锑20～30份、石英石粉40～60份、氧化镁10～15份、氢氧化铝30～45份、膨胀石墨10～15份、偏硼酸钠2～5份、磷‑氮系阻燃剂25～35份。采用三氧化二锑阻燃助剂及其他阻燃物质有效减少了三氧化二锑的使用量，降低了成本，且提升了阻燃性能。
一种氧化阻燃

[发明专利]一种热沉材料包裹材料-CN201710285843.4在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C08L1/28 文献下载
摘要：本发明涉及热沉材料领域，尤其是一种热沉材料包裹材料，其原料按重量份计为碳化硅40～60份、纳米二氧化硅5～10份、玻璃粉15～20份、石墨烯3～6份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、氧化镁8～12份、三氧化二锑4～6份、偏硅酸钠2～4份、增粘剂1～3份、氮丙啶交联剂3～5份。该热沉材料包裹材料具有高绝缘性，能够直接将LED芯片贴合在包裹材料上，简化封装结构，降低成本，且该包裹材料具有良好阻燃性。
一种材料包裹

[实用新型]一种易清理的金属提纯反应釜-CN201621395741.5有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易清理的金属提纯反应釜,涉及提纯设备技术领域，包括釜体和安装在釜体内的搅拌轴，所述搅拌轴上设置有多个位于同一平面的第一搅拌叶，且多个第一搅拌叶上均设置有垂直的第二搅拌叶；所述多个第一搅拌叶的另一端共同设置有与釜体内壁抵触的刮板；所述釜体外壁上设置有夹套，且夹套与釜体外壁之间设置有沿釜体外壁呈螺旋状的翅片，翅片使夹套与釜体外壁之间形成螺旋的流通通道；所述夹套上还设置有液体进口和液体出口，液体进口和液体出口分别位于流通通道的两端。本实用新型搅拌更加均匀，能对釜体内壁上粘着的物料进行刮除，方便对釜体内壁进行清理，使用更加方便。
一种清理金属提纯反应

[实用新型]一种带预热管的密封提纯装置-CN201621437198.0有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： F16L53/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带预热管的密封提纯装置，包括石英管、插入到石英管内的进气管、密封头；所述石英管端部设置有接口，接口外端面设置有外螺纹，接头内通过密封头固定连接进气管，密封头包括外接头和内紧压片，外接头开有与接口外端面的外螺纹咬合的内螺纹；所述内紧压片焊接在外接头内，且插入在接口与外接头之间；所述进气管包括加热管，加热管内设置有螺旋线槽，且在螺旋线槽内铺设有碳纤维加热线。采用本实用新型有效进行进气预热，保证提纯效果。
一种预热密封提纯装置

[实用新型]一种真空蒸馏提纯装置-CN201621406471.3有效
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： B01D3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空蒸馏提纯装置，包括蒸馏组件、与蒸馏组件连接的冷凝组件，蒸馏组件包括蒸馏炉、设置在蒸馏炉中部的坩埚，坩埚外壁由内向外依次包裹有传热层、加热层和隔热层，坩埚顶部设置有坩埚盖，蒸馏炉顶部设置有炉盖，蒸馏组件还包括设置在蒸馏炉顶部的搅拌组件，搅拌组件包括安装在炉盖上的搅拌电机、贯穿炉盖和坩埚盖的搅拌轴，搅拌轴另一端设置有搅动叶轮，冷凝组件包括蒸汽收集罩、多个首尾相连的U型冷凝管，蒸汽收集罩穿过炉盖与坩埚盖连通，最后一个U型冷凝管出气端连接有抽风机。其结构简单，蒸汽受热均匀，加热迅速，且同时能分离多种杂质，蒸馏提纯效率高。
一种真空蒸馏提纯装置

[发明专利]一种半导体陶瓷材料-CN201610967151.3在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体陶瓷材料，由以下重量分数的原料组成石墨10‑16份、碳酸钠2‑3份、蒙脱石2‑3份、氧化锌1‑2份、碳化硅10‑15份、短玻璃纤维10‑20份、锂辉石2‑5份、羧甲基纤维素6‑8份、碳化硼7‑18份、二氧化硅5‑6份、氧化锆3‑5份、碳化钛5‑10份、铂粉1‑2份、钼粉1‑2份、铁粉2‑3份、氧化铍3‑4份、钛酸硼2‑6份、碳酸钙1‑4份。本发明优点在于具有半导体特性，电阻率低；成本低廉，体积小，有利于推广应用。
一种半导体陶瓷材料

[发明专利]一种半导体用热沉材料-CN201610967140.5在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体用热沉材料，所述热沉材料主要成份按照重量百分比分别为石墨30‑50份、氧化铝7‑9份、氮化铝6‑8份、碳化硅9‑10份、纳米碳管4‑8份、二氧化硅5‑8份、蒙脱石2‑3份、氧化锌1‑2份、碳酸钠2‑3份、二氧化锆溶胶4‑5份、轻质钙3‑5份、纤维素15‑16份、二氧化钙3‑5份、钛酸硼2‑6份和氧化锆3‑5份。本发明制得的半导体用热沉材料中的包裹层具有高绝缘性，能够直接将LED芯片贴合在包裹层上，简化封装结构，降低成本。
一种半导体用热沉材料

[发明专利]一种高纯碲的高效提纯方法-CN201610923138.8在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-10-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碲的高效提纯方法，其特征在于，该方法的步骤如下a)将工业碲粉加入到质量分数为40～68％的硝酸中，搅拌2～2.5h，加热至25～75℃，加热时间为20～50min，过滤，将制得的二氧化碲放入去离子水中煮沸10～20min，过滤，制得二氧化碲；b)在质量分数为30％～40％盐酸中加入制得的二氧化碲，搅拌，加热至40～80℃，反应过程中加入体积浓度为10％～20％硝酸盐，当二氧化碲完全溶解后，过滤；c)在滤液中加入质量分数为45～60％亚硫酸氢钠溶液，加热至80～85℃，过滤，洗涤，烘干，得到3N～4N的精碲；d)在400～700℃下，氢气气氛中，熔解制得的3N～4N的精碲，采用直拉提纯法得到5N～6N的高纯碲，解决现有的高纯碲提纯效果效果较差的问题。
一种高纯高效提纯方法

[发明专利]一种纳米级氧化锌晶体的制备方法-CN201610923108.7在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-10-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级氧化锌晶体的制备方法，化工技术领域，包括下列步骤1）将锌盐溶液浓度调整为0.8‑1.8mol∕L，加热至35‑75℃，加入碱溶液使锌盐溶液的PH为11‑12、表面活性剂和耐化学改性剂，并在30‑60℃条件下恒温反应2‑4小时后，得到氢氧化锌和氧化锌的沉淀；2）过滤分离得到固体氢氧化锌和氧化锌混合物，对氢氧化锌和氧化锌混合物进行洗涤，直至洗涤液中不含有锌盐阴离子为止；3）将步骤（2）得到的固体混合物放入闪蒸干燥机内，于180‑280℃中闪蒸、烘干、粉碎，得到96‑99﹪的纳米级氧化锌粉体，将得到纳米级氧化锌粉体进行改性处理，解决现有的氧化锌的制备方法成本较高的问题。
一种纳米氧化锌晶体制备方法

[发明专利]一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法-CN201610964297.2在审
发明人：郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 -专利权人：乐山凯亚达光电科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种方采用锑硫矿直接制备三氧化二锑的方法，包括锑硫分离、溶液浓缩、氨解制备三部，可以直接将锑硫矿直接制备为三氧化二锑。制备方法简单且易于操作，对环境无污染。
一种锑硫矿制备氧化方法

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