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[发明专利]光接收元件、光检测装置和光检测方法-CN202111253066.8在审
发明人： 二木俊郎 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种光接收元件，其结构简单，可灵敏度良好地检测入射光中规定的光。一种光接收元件(100)，检测太阳光(SL)中的紫外线(UV)，所述光接收元件(100)具有：N型的半导体基板(1)；P型导电层(2)，形成于半导体基板(1)的表面；N型的紫外线吸收层(3)，形成于导电层(2)的表面，使太阳光(SL)中的可见光(VL)透过且吸收紫外线(UV)而激发电子；以及N型的检测层(4)，形成于在导电层(2)的表面远离紫外线吸收层(3)的位置，检测从紫外线吸收层(3)流入的电子作为第一光电流IL1。
接收元件检测装置方法

[发明专利]湿度传感器-CN201610115481.X有效
发明人： 二木俊郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供湿度传感器，该湿度传感器与半导体制造工序保持兼容性、并且使每单位面积的电容增大、且改善感湿膜的紧贴性和埋入性。以在前后左右四个方向上彼此邻接的方式配置多个第一电极和多个第二电极，经由金属布线使第一电极与其他第一电极电连接、且使所述第二电极与其他第二电极电连接。
湿度传感器

[发明专利]半导体光检测装置和特定波长的光检测方法-CN201811138604.7在审
发明人： 二木俊郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提供半导体光检测装置和特定波长的光检测方法。提供检测灵敏度针对特定波长的光成分相对较高的半导体光检测装置(100)，具有：半导体受光元件(1)，其具有设置在半导体衬底表面的第1导电型的第1导电层(16)、设置在第1导电层下方的第2导电型的第2导电层(15)和设置在第2导电层下方的第1导电型的第3导电层(14)，在对第1导电层施加了输入电压的状态下，从第3导电层输出基于入射光的强度的光电流；以及半导体光检测电路(110)，其输出基于与第1输入电压和第2输入电压的施加对应地输出的第1光电流与第2光电流之间的电流差的输出电压。
导电层光检测装置半导体输入电压导电型光电流波长光检测输出半导体衬底表面半导体受光元件施加光检测电路检测灵敏度输出电压电流差入射光

[发明专利]紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法-CN201811107540.4在审
发明人：奥田知総;二木俊郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法。紫外线受光元件具有：第1光电二极管，设于半导体衬底的第1区域，包含第1导电型的第1阱注入层、设于第1阱注入层内的第2导电型的第1嵌入注入层和设于第1嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第1表面注入层，对于紫外线有敏感度；第2光电二极管，设于半导体衬底的第2区域，包含第1导电型的第2阱注入层、设于第2阱注入层内的第2导电型的第2嵌入注入层和设于第2嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第2表面注入层，对于紫外线没有敏感度，第2阱注入层的峰值浓度位置比第1阱注入层的峰值浓度位置深与半导体衬底表面到第2表面注入层的峰值浓度位置的深度相等的深度。
注入层导电型紫外线受光元件半导体衬底表面峰值浓度位置嵌入光电二极管敏感度紫外线衬底半导体相等制造

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710132974.9在审
发明人： 二木俊郎 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置和半导体装置的制造方法。为了在同一硅衬底一起形成可靠性高的受光元件和MOS晶体管，在MOS晶体管的栅电极形成以后，去除受光元件形成区域上的栅氧化膜，在受光元件形成区域上重新形成热氧化膜，并穿过该氧化膜对受光元件形成区域进行离子注入，由此形成浅的pn结。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体可变电容器及其制造方法-CN200810087413.2有效
发明人： 二木俊郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明提供半导体可变电容器及其制造方法。该半导体可变电容器包括电容器和第二导电类型的p阱(14)。该电容器包括：形成在半导体衬底(10)的第一区域中的n阱(16)；形成在半导体衬底(10)上方的绝缘膜(18)；以及形成在n阱(16)上方的栅极20n，其中绝缘膜(18)插置在n阱(16)与栅极(20n)之间。该p阱(14)形成在与半导体衬底(10)的第一区域相邻的第二区域中。该栅极(20n)具有延伸至第二区域的端部，并形成在p阱(14)上方，其中绝缘膜(18)插置在p阱(14)与栅极(20n)之间。
半导体可变电容器及其制造方法