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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法-CN201780097071.X有效
发明人：指田和之;山地瑞枝;吉田贤一;铃木健一;九里伸治 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，包括：第一电极61；第二电极62；以及半导体层1，包含：被设置为将所述第一电极61与所述第二电极62之间流通的电流包围的第一绕组部10、以及与所述第一绕组部10的末端部连接，并从所述第一绕组部10的末端部绕回至起始端侧的第二绕组部50。
半导体装置部件以及制造方法

[发明专利]半导体部件、组合体以及半导体部件的制造方法-CN201780097068.8有效
发明人：铃木健一;指田和之;山地瑞枝;吉田贤一;九里伸治 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明的半导体部件150，包括：半导体层1，包含：绕组部10、以及与所述绕组部10的末端部连接后从所述绕组部10的末端部绕回至起始端侧的绕回线部50，所述半导体部件150被配置为将测定对象包围。
半导体部件组合以及制造方法

[发明专利]检测用基板、组合体以及检测用基板的制造方法-CN201780097076.2有效
发明人：指田和之;铃木健一;山地瑞枝;吉田贤一;九里伸治 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明的检测用基板150，包括：主体膜1a，具有贯穿孔91；绕组部10，设置在所述主体膜1a的一侧的面、另一侧的面以及所述贯穿孔91中，将检测的电流的包围；以及绕回线部50，设置在所述主体膜1a上，与所述绕组部10的末端部连接后从所述末端部绕回起始端侧。
检测用基板组合以及制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法-CN200580009827.8有效
发明人：黑崎彻;九里伸治;北田瑞枝;大岛宏介;宍户宽明;三川雅人 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部26和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部27构成活性沟22a，在主沟部26的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区32a的底面的第二导电型的埋入区24，在副沟部27内配置与基极扩散区32a接触的第二导电型的活性沟填充区25。埋入区24经由活性沟填充区25与基极扩散区32a接触。在1个活性沟22a内，在埋入区24以上的部分形成1个栅极沟83，因此不分断栅电极销48而简化电极图案。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200580010103.5无效
发明人： 九里伸治;宍户宽明;三川雅人;大岛宏介;栗山昌弘;北田瑞枝 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部(26)和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部(27)构成有源沟槽(22a)，在主沟槽部(26)的底面上，配置其高度比第二导电类型的基底扩散区(32a)的底面低的第二导电类型的埋入区(24)，在副沟槽部(27)内配置与基底扩散区(32a)接触的第二导电类型的有源沟槽充填区(25)。埋入区(24)经有源沟槽充填区(25)与基底扩散区(32a)接触。在1条有源沟槽(22a)内，由于在埋入区(24)之上的部分形成1条栅沟槽(83)，所以栅电极栓(48)不被分断，电极图形变得简单。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200480039854.5无效
发明人： 九里伸治;宍户宽明;三川雅人;大岛宏介;栗山昌弘;北田瑞枝 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种抗破坏性强的半导体装置。与位于同一基极扩散区17a底面的埋入区44a相互间的距离Wm₁相比，位于不同基极扩散区17a底面的、相互相对的埋入区44a间的距离Wm₂设置得较小(Wm₁＞Wm₂)。由于在基极扩散区17a底面下出现雪崩击穿，雪崩电流不流过基极扩散区17a的源扩散区21正下方的高电阻部分，因此抗破坏性强。
半导体装置

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