专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单光子压缩感知成像系统及其方法-CN202211058365.0有效
  • 吴舒啸;胡建勇;白慧丹;杨柳;樊彦杉;乔志星;张国峰;秦成兵;陈瑞云;肖连团;贾锁堂 - 山西大学
  • 2022-08-30 - 2023-07-21 - H04N23/55
  • 本发明公开了一种单光子压缩感知成像系统及其方法,该系统中信号源产生频率一致的锯齿波信号和方波信号,其分别控制扫描装置周期扫描以及由时间间隔分析仪记录,被成像场景通过扫描装置对扫描形成动态光学信号经过窄带光学滤波器滤除其中的背景噪声,经光信号耦合装置输入到单光子探测器上,动态光学信号在单光子探测器上进行压缩采样,利用时间间隔分析仪将压缩采样的数据记录在计算机上,并在计算机上进行图像恢复。本发明成像方法利用离散傅里叶变换对图像具有时间信息的光子信号进行频域分析,背景噪声在时域内服从泊松分布在频域上为白噪声,而周期性的信号在频域上体现为离散的频率特征峰,由此从高背景噪声中提取图像的高频动态信息。
  • 一种光子压缩感知成像系统及其方法
  • [发明专利]基于数控反馈的激光光强稳定装置-CN202310255394.4在审
  • 冯国胜;乔志星;银涛;张辉 - 山西医科大学第一医院
  • 2023-03-16 - 2023-07-14 - H01S3/13
  • 本发明提供基于数控反馈的激光光强稳定装置,其包括光束整形模块,对半导体激光器输出的激光进行整形和准直;分光模块,将激光分成输出光束和探测光束,探测光束用于进行数控反馈调节;数控反馈调节模块,检测探测光束的光强,以此对光束整形模块内部的激光束进行差分反馈形式的声光调制,从而将输出光束的光强稳定在相应强度值;该激光光强稳定装置利用光强检测和数控反馈相结合的方式对激光光强进行直接稳定,其通过声光调制方式对半导体激光器光强在一定工作范围内任意值的稳定,其只需要在计算机上进行简单操作,即可实现对半导体激光器光强的可视化和精确稳定。
  • 基于数控反馈激光稳定装置
  • [实用新型]一种激光光强和频率的控制器-CN201922225391.8有效
  • 冯国胜;乔志星 - 山西医科大学
  • 2019-12-12 - 2020-05-22 - H01S3/106
  • 本实用新型提供了一种激光光强和频率的控制器,该激光光强和频率的控制器基于驱动电路部件和激光传播部件能够在有效范围内控制激光的频率和光强,并且不会改变调制后的激光的传播方向,此外,该控制器还能够将该驱动电路部件和该激光传播部件集成到一个模块中以及通过光纤实现激光的输入与输出,这不仅提高控制器的集成化程度,并且还能够降低控制的生产成本和控制难度,从而使该控制器能够适用于不同激光应用场合中。
  • 一种激光频率控制器
  • [发明专利]一种氧化石墨烯薄膜多层微纳图形的制备装置及方法-CN201710996028.9有效
  • 秦成兵;乔志星;张国峰;肖连团;贾锁堂 - 山西大学
  • 2017-10-23 - 2019-11-19 - B81C1/00
  • 本发明涉及一种氧化石墨烯薄膜多层微纳图形的制备装置及方法,目的是解决难以在多层材料上同时实现微纳图形制备的技术问题,本发明的技术方案是:一种氧化石墨烯薄膜多层微纳图形的制备装置,包括:激光器、声光调制器、反射镜、扩束镜、光阑、二向色镜、物镜、三维精密位移台、发射滤色片、透镜、光电探测器和电脑;本发明的氧化石墨烯薄膜多层微纳图形的制备方法,以氧化石墨烯和透明的聚乙烯醇为原料,以激光可控还原氧化石墨烯获得特定荧光强度为手段,实现了在多层氧化石墨烯薄膜上对任意微纳图形的刻写,该不改变薄膜结构形态,可以实现多层微纳图形的同时制备,制作过程简单,制备价格低廉,扩展了微纳图形的应用范围。
  • 一种氧化石墨薄膜多层图形制备装置方法
  • [发明专利]脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置-CN201610019627.0有效
  • 秦成兵;高岩;乔志星;肖连团;贾锁堂 - 山西大学
  • 2016-01-13 - 2018-10-16 - H01S3/23
  • 本发明涉及二维半导体材料和光学领域,具体为一种通过脉冲激光照射实现对单层二硫化钼光学改性的方法及其装置,包括实现了对单层二硫化钼荧光量子产率的提高和对单层二硫化钼荧光光谱的连续调节,解决了单层二硫化钼荧光量子产率低下,荧光光谱不可调节,不能直接制备二维半导体发光器件的问题。一种实现单层二硫化钼光学改性的方法是通过820nm飞秒脉冲激光照射单层二硫化钼晶体产生硫原子空位缺陷来提交单层二硫化钼的荧光量子产率。本发明是通过飞秒激光产生空位缺陷以束缚单层二硫化钼表面的电子,精确控制光致激子数目,从而实现了对单层二硫化钼荧光量子产率的提高和对荧光光谱的连续调节。
  • 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性方法装置

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