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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池及制造太阳能电池的方法-CN201610017854.X有效
发明人：阮信晓;丹尼斯·德塞斯特 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种用于背面接触太阳能电池(300)的多层防反射结构(310)。在背面接触太阳能电池(300)的正面上可以形成防反射结构(310)。防反射结构(310)可以包括钝化层(312)、在钝化层上的高吸光层(313)、在高吸光层(313)上的低吸光层(314)。钝化层(312)可包括在太阳能电池基底(102)的有纹理的表面上热生长的二氧化硅，该基底可以是N型硅基底。高吸光层(313)可以被配置来阻挡进入基底的UV辐射的至少10％。高吸光层(313)可以包括高k氮化硅，低吸光层(314)可以包括低k氮化硅。
太阳能电池制造方法

[实用新型]具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构-CN201220217646.1有效
发明人： 丹尼斯·德塞斯特;彼得·约翰·卡曾斯;戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池结构，其特征在于包括：硅衬底，其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面；P型掺杂区域和N型掺杂区域；沟槽结构，其将P型掺杂区域和N型掺杂区域物理分开；以及沟槽中断，其断开沟槽结构的连续性并在P型掺杂区域和N型掺杂区域之间形成对接结。
具有多晶掺杂区域背面接触太阳能电池结构

[发明专利]用于背面接触太阳能电池的具有高吸光层的防反射涂层-CN200880120502.0有效
发明人：阮信晓;丹尼斯·德塞斯特 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种用于背面接触太阳能电池(300)的多层防反射结构(310)。在背面接触太阳能电池(300)的正面上可以形成防反射结构(310)。防反射结构(310)可以包括钝化层(312)、在钝化层上的高吸光层(313)、在高吸光层(313)上的低吸光层(314)。钝化层(312)可包括在太阳能电池基底(102)的有纹理的表面上热生长的二氧化硅，该基底可以是N型硅基底。高吸光层(313)可以被配置来阻挡进入基底的UV辐射的至少10％。高吸光层(313)可以包括高k氮化硅，低吸光层(314)可以包括低k氮化硅。
用于背面接触太阳能电池具有高吸光层反射涂层

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