“中畑匠”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200980161223.3有效
发明人： 中畑匠;井上和式;山县有辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在具备将光变换为电的光电变换层(4)、和设置于所述光电变换层(4)的与光入射侧相反的一侧而使通过了所述光电变换层(4)的光反射到所述光电变换层侧的反射电极(5b)的太阳能电池(1)中，为了实现粘接性以及热耐蚀性优良、并且具有稳定的电特性以及良好的光反射特性的反射电极，来得到可靠性高、且电特性以及光学特性优良的太阳能电池，所述反射电极(5b)在所述光电变换层(4)侧具有以银为主成分并含有氮而成的金属层(5b)。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200880004975.4有效
发明人： 中畑匠;井上和式;小田耕治;中川直纪;石贺展昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。
显示装置及其制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN200810188519.1无效
发明人：佐竹徹也;中畑匠;奥村贵典;山县有辅;大野岳;中川直纪;长江伟 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示装置，抑制由于与弯曲相伴的二个基板的位置偏移而发生显示不均，而得到高质量的显示图像。在具有弯曲显示面的液晶显示装置(10)中，沿着显示面的弯曲方向(Y)配置像素构造(11)的长边，在对置基板侧设置如下的黑矩阵：在将显示面的弯曲方向(Y)的长度尺寸设为L、将阵列基板的厚度尺寸设为T1、将对置基板的厚度尺寸设为T2、将阵列基板与对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将设置于像素构造(11)内的像素电极(29)的长边的长度尺寸设为E时，黑矩阵开口部(41a)的弯曲方向(Y)的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。
液晶显示装置

[发明专利]Al合金膜、电子器件及光电显示装置用有源矩阵衬底-CN200810160924.2无效
发明人：井上和式;石贺展昭;长山显祐;津村直树;中畑匠 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且，第一添加元素的组成比是0.5～5at％，第二添加元素的组成比是0.1～3at％。
al 合金电子器件光电显示装置有源矩阵衬底

[发明专利]半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法-CN200810173789.5有效
发明人：井上和式;石贺展昭;长山显祐;津村直树;中畑匠;河濑和雅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。
半导体器件显示装置制造方法

[发明专利]特性检查用开关元件及特性检查方法-CN200610068249.1无效
发明人：远藤厚志;中畑匠 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供不受液晶显示面板上的配置场所制约，防止因制造时和处理时发生的静电引起的损伤，能够进行正确的特性检查的特性检查用开关元件。在特性检查用薄膜晶体管10的源极S、栅极G及漏极D中，各自连接作为电极端子的源端子11、栅端子12及漏端子13。而且，为了通用化各自的电极端子的电位，将电极端子通过电位通用布线50与电位通用端子20连接。在进行特性检查时，通过在电极端子·电位通用端子20之间施加电压，熔断电位通用布线50。
特性检查开关元件方法