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[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202111541608.1在审
发明人： 中上恒平 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：实施方式提供一种集成性优异的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具有半导体衬底、第1晶体管、第2晶体管、元件分离区域、及第1绝缘层。半导体衬底包含排列在第1方向的第1阱区域与第2阱区域。第1晶体管包含第1阱区域、第1栅极绝缘层、第1栅极电极、及第2栅极电极。第2晶体管包含第2阱区域、第2栅极绝缘层、第3栅极电极、及第4栅极电极。元件分离区域处于第1阱区域与第2阱区域之间。第1绝缘层处于元件分离区域的上方。第1绝缘层具有与第1栅极电极重叠的第1突出部、及与第3栅极电极重叠的第2突出部。第2栅极电极的一部分处于第1突出部的上方。第4栅极电极的一部分处于第2突出部的上方。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置、其制造方法及存储装置-CN202111005845.6在审
发明人： 中上恒平 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供具有高的可靠性的半导体装置、其制造方法及存储装置。实施方式的半导体装置具备包括存储单元的第1区域和包括周边电路的第2区域。第2区域具备：扩散区域，设置于半导体基板的表面；栅绝缘膜，设置于扩散区域的表面之上；栅电极，设置于栅绝缘膜之上；绝缘体层，设置于扩散区域的表面之上，包围栅电极并且覆盖栅电极的侧面的至少一部分；及元件分离体，埋入于半导体基板，包围扩散区域。元件分离体具有：第1部分，比表面向下方凹陷；及第2部分，具有设置于扩散区域的表面与第1部分之间且比第1部分向上方突出的凸部。
半导体装置制造方法存储