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[发明专利]一种提高薄膜应变线性度的方法-CN201110214390.9有效
发明人：严远;杨芳;王玮;罗葵;田大宇;刘鹏;李婷;张大成 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。
一种提高薄膜应变线性方法

[发明专利]一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置-CN201110070276.3无效
发明人：严远;杨芳;王玮;罗葵;田大宇;刘鹏;李婷;王玮;张大成 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置，其方法包括：A、将表面具有微纳结构的待蚀刻基片置于腐蚀液容器的基座上；B、将腐蚀液注入腐蚀液容器中，腐蚀液液面淹没基片表面；C、通过腐蚀液容器侧面设置对应的进出液口或通过在腐蚀液容器下设置摇床使腐蚀液水平流动，和/或使基座转动；D、在腐蚀液水平流动和/或基座转动的情况下湿法腐蚀基座上的待蚀刻基片表面微纳结构。腐蚀装置包括腐蚀液容器和基座，基座置于腐蚀液容器内，腐蚀液容器两侧设有进/出液口或腐蚀液容器下设有摇床；基座可转动。本发明通过腐蚀液水平流动或/和基座转动，保证腐蚀液的均匀搅拌，使腐蚀均匀性得到了有效的控制，保证了微纳结构的蚀刻效果。
一种结构湿法腐蚀方法及其装置

[发明专利]硅的腐蚀深度实时监控方法-CN201010232641.1无效
发明人：严远;张大成;王玮;杨芳;李婷;王颖;罗葵;田大宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
腐蚀深度实时监控方法