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[发明专利]一种功率调整器的移相控制方法和系统-CN202310826208.8有效
发明人：孙路;刘辉;曹文平;胡存刚;严志尚 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M3/315 文献下载
摘要：本发明揭示了一种功率调整器的移相控制方法和系统，其方法包括；实时采样设定电压范围0‑X的模拟输入信号H，获取一个信号周期的调功比例A，A=H/X；根据调功比例A，获取设定输入频率下，导通角#imgabs0#和移相时间t的值；实时采样供给负载的输出电压；当输出电压零点时，自零开始计时，当计时值与移相时间t的值相等时，输出PWM信号，控制供给负载的电压和电流；定时采样供给负载的输出电流的瞬时值I；获取有效值I1，判断有效值I1和期望值I2的误差E，校准调功比例A，获取调功比例A1；根据调功比例A1，重复获取调功比例A后的步骤。本方法提升调压稳定性，精准控制输出功率，提升功率调整器的控制精准度。
一种功率调整器控制方法系统

[发明专利]SIC-MOSFET并联均流电路及其控制方法-CN202211414384.2有效
发明人：曹文平;刘辉;孙路;严志尚;胡存刚 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种SIC‑MOSFET并联均流电路及其控制方法，包括SIC‑MOSFET并联模块，具有并联的i个SIC‑MOSFET；电阻网络模块，通过并联的i组驱动回路驱动i个SIC‑MOSFET；控制模块，用于控制所述i组驱动回路的开通与关断；以及检测模块，用于检测、量化所述i个寄生电感的动态参数。通过控制模块将不同寄生电感的计数结果进行排序，将计数结果越大的SIC‑MOSFET导通更多的驱动电阻，使该SIC‑MOSFET的驱动电阻值减小，可以减短其开通时间，向计数结果最小的SIC‑MOSFET上升沿时间逼近，提升了流过各SIC‑MOSFET的电流均衡度。
sic mosfet 并联流电及其控制方法

[实用新型]一种风冷式直流固态继电器-CN202222538918.4有效
发明人：孙路;曹文平;胡存刚;刘辉;严志尚 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-09-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01H50/14 文献下载
摘要：一种风冷式直流固态继电器，包括：继电器本体，该继电器本体包括内置的电路板和功率开关管，该功率开关管的引脚与所述电路板固定连接；以及接插组件，该接插组件包括第一接插组件和第二接插组件，其中第一接插组件用于将外部大电流导入继电器本体，所述第二接插组件用于将外部电压控制信号输入电路板，并控制功率开关管的开通与关闭。本实用新型实用功率开关管替代普通的继电器开关触头，并引入接插组件来配合控制功率开关管的开闭，其中端子与外部控制信号连接，控制信号作用在电路板后，一方面可以将N沟道的功率开关管开启，则外部大电流通过铜柱就可以通过该继电器，使用功率开关管不会出现传统继电器开关过程中的电弧，故不会有粘连问题。
一种风冷直流固态继电器

[发明专利]多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法-CN202210152039.X有效
发明人： 严志尚;胡存刚;曹文平;孙路;刘威 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明公开了多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法，涉及GaN器件驱动技术领域，包括：驱动电源Vcc1、N型MOSFET Q1和P型MOSFET Q2串联而成的推挽电路、电阻R3和二极管D1串联而成的充放电回路；其中电源Vcc2、电阻R6串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路，比较器Z1构成用于拓展电路的比较器电路；充放电回路用于提供可靠关断和常规电流，不仅能够保证氮化镓器件的开通关断速度，而且避免了电压尖峰的产生，抑制了关断时的电压振荡；比较器电路为电路的拓展留下了更多的可能性，结合数字控制电路可以根据需求调整二级电流补充电路的数量，继而改变电路的驱动能力，提供稳定驱动电压，保证GaN HEMT器件可靠的运行。
多级 gan hemt 驱动电路及其工作方法

[发明专利]一种多级式SiC-MOSFET驱动电路及控制方法-CN202210509692.7有效
发明人：曹文平;胡存刚;孙路;严志尚;朱非凡 -专利权人：合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法，包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通，消除开通时的电压尖峰，减小关断时的电压振荡；并获取开通过程中的电压动态参数，进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小，以提供稳定的驱动电压。
一种多级 sic mosfet 驱动电路控制方法