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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶振晶体片的真空镀膜方法-CN201210110493.5无效
发明人：朱木典 -专利权人： 东海县海峰电子有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明是一种晶振晶体片的真空镀膜方法，它采用蒸镀的方式先在晶体片的正反两面镀上镍材料膜，然后在镍材料膜上镀上银材料膜；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，先将镍材料置于分子泵镀膜机内两个钼舟的一个上；在真空状态下加热放置镍材料的钼舟，至镍材料升华并镀至晶体片的一面上形成镍膜后，翻转夹具，采用相同方式将镍材料镀至晶体片的另一面上；再将银材料置于两个钼舟的另一个上，在真空状态下加热放置银材料的钼舟，分别在镍膜上镀上银膜。本发明方法制成的晶体片，镀膜的耐高温能力有效地提高，膜的附着力更强，不容易脱落，其老化率降低，延缓老化，使其性能更稳定，有效地提高了晶振的合格率和使用寿命，符合环保要求。
晶体真空镀膜方法

[发明专利]耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法-CN201210110485.0无效
发明人：朱木典 -专利权人： 东海县海峰电子有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明是一种耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法，它以硅酸镓镧晶体片或者二氧化硅晶体片为载体，采用蒸镀的方式在晶体片的正反两面镀上金与银组合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10%；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，按重量配比将金、银合金材料置于分子泵镀膜机的钼舟上；启动分子泵镀膜机，在真空状态下加热放置金、银合金材料的钼舟，至金、银合金材料升华并镀至晶体片的一面上形成合金膜后，翻转夹具，采用相同的方式将金、银合金材料镀至晶体片的另一面上。采用本发明方法制成的晶体片，镀膜的耐高温能力有效地提高，膜的附着力更强，不容易脱落，其老化率降低，延缓老化，使其性能更稳定，有效地提高了晶振的合格率和使用寿命。
耐高温晶体真空镀膜方法

[发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法-CN201010147972.5有效
发明人：朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 -专利权人： 东海县海峰电子有限公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
硅酸晶体元件生产方法

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