专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]加/解密电路-CN201510753002.2有效
  • 单伟君;刘丹;姜琨;李清;张纲;俞军;刘枫 - 上海复旦微电子集团股份有限公司
  • 2015-11-07 - 2019-05-28 - H04L9/06
  • 一种加/解密电路。所述加/解密电路包括:第一选择器、加/解密运算器、分配器、比较器及控制器,其中,所述分配器适于在所述控制器的控制下,将所述加/解密运算器最终运算结果或中间运算结果通过对应的输出端进行输出;所述比较器适于对所述第一输出端输出的数据与第二输出端输出的数据进行比较,并输出比较结果;所述控制器适于控制所述第一选择器的输出,控制加/解密运算器对所述第一选择器的输出执行加密运算或解密运算,以及控制所述分配器将所述加/解密运算器的最终运算结果或中间运算结果通过对应的输出端进行输出。应用所述加/解密电路减小电路面积。
  • 解密电路
  • [发明专利]NFC智能卡模拟方法及装置-CN201510560991.3有效
  • 沈晓静;王元彪;高俊安;林翌桢;周乐 - 上海复旦微电子集团股份有限公司
  • 2015-09-06 - 2019-04-30 - G06K19/077
  • 一种NFC智能卡模拟方法及装置,所述方法包括:NFC智能设备接收智能卡交易终端发送的当前交易指令;判断是否存在预下发脚本;当存在预下发脚本时,判断预下发脚本中的当前指令与当前交易指令是否匹配;当预下发脚本中的当前指令与当前交易指令匹配时,将预下发脚本中与当前交易指令对应的响应数据发送至智能卡交易终端,并将所述当前指令的序号后移一位;当不存在预下发脚本时,或所述预下发脚本中的当前指令与当前交易指令不匹配时,将当前交易指令发送至服务器;接收服务器发送所述响应数据以及新的预下发脚本,并将所述响应数据发送至智能卡交易终端。采用所述方法及装置,可以有效降低智能卡交易业务时延。
  • nfc智能卡模拟方法装置
  • [发明专利]模逆运算器-CN201510096948.6有效
  • 刘凯;陆继承;赵晓冬;王宇 - 上海复旦微电子集团股份有限公司
  • 2015-03-04 - 2019-04-26 - G06F7/72
  • 一种模逆运算方法及运算器,用于计算Z=Y‑1mod X,其中Z为所述模逆运算的结果,X为第一操作数,Y为第二操作数,所述模逆运算方法包括:计算获取第一操作数X的二进制位长Xlen以及第二操作数Y的二进制位长Ylen;初始化第一变量R与第二变量S;当Xlen≥Ylen时,计算X模Y,当Xlen≤Ylen时,计算Y模X。在更新后的X=0且更新后的Y=1时,所述模逆运算的结果为更新后的第二变量S;在更新后的X=1且更新后的Y=0时,所述模逆运算的结果为X的初始值与更新后的第一变量R之差;在更新后的X与更新后的Y其中之一等于0而另一个不等于1时,所述模逆运算的结果不存在。采用所述方法及运算器,可实现模为任意非零整数的模逆运算,提高模逆运算的计算效率,降低硬件功耗。
  • 逆运算方法运算器
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201510397765.8有效
  • 黄新运;肖磊;沈磊;刘崎;徐烈伟;刘红霞 - 上海复旦微电子集团股份有限公司
  • 2015-07-08 - 2019-03-26 - H01L27/1157
  • 本发明提供一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括,在半导体衬底的鳍部上方形成有且呈堆叠结构的多层沟道结构,沟道结构包括沟道绝缘层和位于沟道绝缘层上的沟道层;在多层沟道结构上方形成有横跨多层沟道结构的多个漏极结构,多个漏极结构与多层沟道层一一对应,且一个漏极结构覆盖一个沟道层的侧壁。半导体器件的结构应用在NAND存储器中,多层沟道结构中一层沟道层用于形成一个存储器单元,具有呈层叠的沟道层结构可在相同的工艺尺寸条件下增加NAND存储器的密度,从而提高半导体器件持续数据密度提升能力,进而解决现有工艺中,为了增加NAND存储器密度而减小器件尺寸,而导致相邻NAND存储器之间性能互相干扰的问题。
  • 半导体器件及其形成方法

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