专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体元件-CN201410515202.X在审
  • 高原良雄;三浦猛 - 三菱电机株式会社
  • 2014-09-29 - 2015-04-15 - H01L29/737
  • 本发明提供一种半导体元件,其能够减小接合电容并且使半导体层的侧面稳定化。半导体元件(10)具有由高浓度N型半导体层形成的集电极接触层(16)。在集电极接触层(16)上层叠有N型的集电极层(15)、层叠在集电极层(15)上并具有上表面(14a)的高浓度P型半导体层即基极层(14)、层叠在上表面(14a)的一部分上的N型的发射极层(11)。在基极层(14)与集电极层(15)的接合面形成有基极集电极层接合部(18)。惰性部(19)在俯视观察时设置在上表面(14a)上的与基极电极(13)的外侧端部相比的外侧。惰性部(19)通过从由氦以及氩构成的群中选择出的1种元素对第1、2半导体层进行离子注入而形成。惰性部(19)从上表面(14a)延伸至与基极集电极层接合部(18)相比的下方。
  • 半导体元件

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