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[发明专利]一种凸点结构及其制备方法-CN202211303428.4在审
发明人：黄晟;黄立;金迎春;丁颜颜 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测器凸点制备方法，摒弃了传统的光刻、镀膜、剥离的工艺方法，采用分割带辅助分割来制作独立的凸点结构，避免了光刻工艺本身以及凸点金属沉积过程中的缺陷所带来的尺寸偏差及均匀性差的技术问题。由于分割带是对基板整面金属无损分割而成，制备的凸点结构尺寸完全均匀。本发明的凸点制备工艺可以完全避免厚胶光刻相关尺寸限的技术问题，实现了微米级甚至亚微米级高密度、超小尺寸凸点的制备，可实现高质量芯片的批量化生产。
一种结构及其制备方法

[发明专利]台面型焦平面芯片及其制备方法-CN202211295435.4在审
发明人：黄晟;黄立;朱晓彤;金迎春;丁颜颜 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种台面型焦平面芯片的制备方法，包括S1，于基底上形成若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置；S2，在每一像元凸台的表面制作电极，电极至少部分延伸至像元凸台的侧壁上；S3，将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连，使每一凸点伸入间隔并与其中一个像元凸台上的电极电连接。还提供一种台面型焦平面芯片，台面型敏感阵列与读出电路倒装互连，台面型敏感阵列包括基底和若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置，每一像元凸台均设有电极，电极至少部分延伸至间隔中并覆盖于像元凸台的侧壁上。本发明通过去掉像元凸台上的凸点，采用大面积的电极与读出电路的凸点互连，解决凸点与凸点互连产生的若干问题。
台面平面芯片及其制备方法

[发明专利]一种红外焦平面像元反光帘、红外焦平面阵列及芯片-CN202210894261.7在审
发明人：黄立;凡陈玲;程素芬;操神送;丁颜颜 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面像元反光帘、红外焦平面阵列及芯片，像元的上表面和所述像元的四周均设置反光帘，所述反光帘至少包括一层具备高反光率的材料，使得所述像元内未吸收完全的入射光被反射。本发明通过在各个像元上设计全封闭式的反光帘结构，降低光串音，同时提高量子效率。
一种红外平面反光阵列芯片

[发明专利]红外焦平面芯片及其制备方法、红外焦平面探测器-CN202111238177.1有效
发明人：黄立;凡陈玲;汪良衡;刘文波;金迎春;操神送;丁颜颜;刘斌;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外焦平面芯片，包括衬底、红外敏感层、于衬底上设置的读出电路以及连接红外敏感层的互连金属，于红外敏感层的n型区设抗反膜，红外敏感层的p型区具有不透红外光的金属层，金属层通过引线与公共电极地连接。还提供一种红外焦平面探测器。还提供一种红外焦平面芯片的制备方法。本发明可降低中心像素和边缘像素Gpol工作点之间的电压偏差，进而提高了探测器边缘像素的成像质量。另外采用p型区生长等电位的金属，实现相同的等电位功效，避免了正面等电位加工工艺受限于平面结的局限性，和小像元芯片加工时等电位金属和像元间短路而失效的风险，可实现光增强电信号，减小光串音的效果，避免挡光而降低探测器灵敏度。
红外平面芯片及其制备方法探测器