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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有掩膜线以抑制信号串扰的半导体元件-CN202211484604.9在审
发明人： 丁振伦;吕增富;杨咏智 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，具有一表面；一第一信号线，设置于该基底的该表面上；以及一第二信号线，设置于该基底的该表面上并与该第一信号线间隔开。该半导体元件还包括该第一信号线与该第二信号线之间的一第一掩膜线。该第一信号线与该第二信号线之间的最小距离等于或小于约90纳米(nm)。
具有掩膜线抑制信号半导体元件

[发明专利]半导体元件的制备方法-CN202310009123.0在审
发明人： 丁振伦;吕增富;杨咏智 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体元件的制备方法，包括：将一心轴层设置于一介电层上，并对心轴层进行图案化，以形成一第一心轴及与第一心轴间隔开的一第二心轴。第一心轴与第二心轴之间的最小距离等于或小于约90纳米。该制备方法还包括：形成与第一心轴的一第一侧相邻的一第一间隙子、与第一心轴的一第二侧相邻的一第二间隙子、与第二心轴的一第一侧相邻的一第三间隙子、及与第二心轴的一第二侧相邻的一第四间隙子。该制备方法还包括：以第一间隙子、第二间隙子、第三间隙子及第四间隙子作为蚀刻遮罩对介电层进行蚀刻，形成一第一介电元件、一第二介电元件、一第三介电元件及一第四介电元件。该制备方法还包括：在第二介电元件与第三介电元件之间形成一第一遮罩线。
半导体元件制备方法

[发明专利]存储器装置及其形成方法-CN201910179772.9有效
发明人： 丁振伦;吕增富;王维志 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其形成方法，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之间，第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第一部分位于第一栅极结构与第一凸出部之间，第二部分位于第一栅极结构与第二凸出部之间，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度。凹槽阵列中的栅极引发漏极漏电流(gate induced drain leakage,GIDL)可通过较厚的第一氧化物层的第一部分及第二氧化物层的第一部分而被抑制。因此，可增进动态随机存取存储器装置的保留时间。
存储器装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201911300391.8在审
发明人：谢承宪;黄竞加;丁振伦;吕增富;廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底、一栅极结构、一电容器以及一位元线。该基底具有一表面、一第一掺杂区以及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区配置在该表面下。该栅极结构配置在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间。该电容器配置在该第一掺杂区上，并电性连接该第一掺杂区。该位元线配置在该第二掺杂区上，并电性连接该第二掺杂区，其中该位元线具有一导电部以及一隔离部，该隔离部围绕该导电部，且该隔离部包含铁电材料。
半导体结构

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共 4 条

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