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[发明专利]具有纳米微结构基板的制备方法-CN201110076886.4有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米微结构基板的制备方法。该具有纳米微结构基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面垂直生长外延层；以及，去除所述碳纳米管层，得到至少一表面具有纳米微结构的具有纳米微结构基板。所述具有纳米微结构基板的制备方法工艺简单，成本低廉。
具有纳米微结构制备方法

[发明专利]用于生长外延结构的掩模及其使用方法-CN201110025710.6有效
发明人：魏洋;冯辰;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长外延结构的掩模及其使用方法。该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，从而使得基底的外延生长面可以通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。该掩模的使用方法包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层包括多个开口，从而使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长外延层。
用于生长外延结构及其使用方法

[发明专利]在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法-CN201210075720.5有效
发明人：梁萌;李鸿渐;姚然;李志聪;李盼盼;王兵;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
图形衬底生长氮化外延结构方法

[发明专利]单晶纳米线阵列的合成方法-CN201010536975.8有效
发明人：吴凯;宫勇吉;余捷峰;黄斌;尚鉴 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种合成单晶纳米线阵列的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法首先选择蒸汽压的前驱体，然后结合模板，采用气相沉积的方法，利用生长环境中的水蒸气或者其它具有湿度的载气完成反应，最终生长得到纳米线沉积到模板的孔道中，形成单晶纳米线阵列。本发明所制备的材料具有长度可调，直径可调，可以得到品质优良的单晶等诸多优点，解决了以往纳米线合成中易于被污染，长度、直径不可控，晶体质量差，所得纳米线产量稀少以及实验重复性差等缺点。
纳米阵列合成方法

[发明专利]通过在防止基材边缘的生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法-CN200680056431.3有效
发明人： E·奥若尔;J-P·福里;B·博蒙 -专利权人：卢米洛格股份有限公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在适于所述晶体生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法，其中所述基材包括沉积在其生长表面边缘的适于防止所述单晶在基材边缘生长的掩蔽物。
通过防止基材边缘生长外延制造氮化物方法

[发明专利]生长氮化镓晶体的方法-CN200710138204.1无效
发明人：弘田龙;元木健作;中畑成二;冈久拓司;上松康二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a₁/T+b₁)＜Vj＜(a₂/T+b₂)，其中使用系数a₁＝－4.39×10⁵，b₁＝3.87×10²，a₂＝－7.36×10⁵和b₂＝7.37×10²。这样，晶体中的位错密度减小。
生长氮化晶体方法