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- [发明专利]一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法-CN202011354513.4在审
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王坤鹏;张建秀;刘泳;任衍彪;李凤丽;徐本燕;朱雨凤
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枣庄学院
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2020-11-27
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2021-02-26
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C30B13/02
- 本发明公开了一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法。制备含有助熔剂的多晶料棒；在光学浮区炉中，以高于正常生长速度约50%的速度，快速进行预生长；快速预生长即将结束时，即料棒头部仅剩约0.5cm时，在温度和转速不变的情况下，停止熔区移动约1分钟；将得到的预生长多晶料棒作为熔体部分，将剩余的料棒头作为籽晶，开始反向移动熔区，熔区移动的速率降为0.5mm/min，即采用光学浮区炉实现了TSSG顶部籽晶法生长的效果，本专利称之为助熔剂倒提拉法；在所述的两个完全相反的生长过程中，始终保持固液界面平缓连接，全程不中断，直至生长过程结束。本方法制备的单晶具有工艺简单，周期短和稳定性好的特点，所生长的晶体缺陷浓度低、光学质量高。
- 一种熔剂倒提拉晶体生长方法
- [发明专利]移动碲溶剂熔区法生长碲锌镉晶体的方法及装置-CN201010201205.8无效
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闵嘉华;陈军;梁小燕;王东;李辉;张继军;王林军
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上海大学
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2010-06-12
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2010-10-27
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C30B13/02
- 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
- 移动溶剂熔区法生长碲锌镉晶体方法装置
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