专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子点的制造方法-CN202180026031.2在审
  • 野岛义弘;青木伸司;鸢岛一也 - 信越化学工业株式会社
  • 2021-03-02 - 2022-11-18 - C09K11/08
  • 本发明提供一种量子点的制造方法,所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体,所述制造方法中,使用含有彼此不同的元素的第一前驱体溶液及第二前驱体溶液,将第二前驱体溶液制成气溶胶并向已加热的第一前驱体溶液进行喷雾、或者将第一前驱体溶液及第二前驱体溶液分别制成气溶胶并向已加热的溶剂进行喷雾,由此使第一前驱体溶液与第二前驱体溶液进行反应,合成含有彼此不同的元素的核颗粒。由此,提供一种能够在大规模的合成中抑制量子点的粒径的不均匀性及伴随于此的发射波长的分布的增大的量子点的制造方法。
  • 量子制造方法
  • [发明专利]组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器-CN201780078425.6有效
  • 内藤翔太;酒谷能彰 - 住友化学株式会社
  • 2017-12-20 - 2022-09-09 - C09K11/08
  • 本发明涉及一种具有发光性的组合物,其包含(1)及(2),并且还包含(3)和(4)中的至少一者。(1)半导体微粒;(2)具有除了‑NH3+所示的基团及‑COO所示的基团以外的离子性基团的有机化合物;(3)溶剂;(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种。上述(1)优选为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒。A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分,其是1价阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分,其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子。B为金属离子。
  • 组合层叠结构发光装置显示器
  • [发明专利]组合物-CN201780078399.7有效
  • 内藤翔太;酒谷能彰 - 住友化学株式会社
  • 2017-12-20 - 2022-06-17 - C09K11/08
  • 本发明涉及一种具有发光性的组合物,其包含(1)、(2)及(3)。(1)半导体微粒;(2)具有巯基的有机化合物;(3)溶剂。上述(1)优选为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒。A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分,其是1价阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分,其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子。B为金属离子。
  • 组合
  • [发明专利]光致发光元件的制造方法-CN202080046889.0在审
  • L·拉斯兹卡 - 爱特纳莱特有限责任公司
  • 2020-06-17 - 2022-02-18 - C09K11/08
  • 制造光致发光元件(1)的方法,其特征在于,在15‑55℃的环境温度下,在板(2)上或在至少一个模具(3)中施加厚透明层(11),该厚透明层的密度是1000‑1500kg/m3,使所述厚透明层干燥经过10分钟到8小时,然后在其上施加粘度为100‑200mPa.s的薄透明层(12)。此外,紧接着向该薄透明层(12)施加光致发光粉末(131),该光致发光粉末通过重力作用而落下穿过该薄透明层并粘附在透明层(11,12)的交界面处,从而形成连续的光致发光层(13)。一起硬化这些所得层(11、12、13)。
  • 光致发光元件制造方法
  • [发明专利]荧光体、其制造方法及发光装置-CN202080046295.X在审
  • 广崎尚登;武田隆史;舟桥司朗 - 国立研究开发法人物质·材料研究机构
  • 2020-03-31 - 2022-02-08 - C09K11/08
  • 本发明可提供一种新型荧光体、其制造方法及其发光装置,该新型荧光体具有不同于现有的氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的新的发光特性。在本发明的实施方式中,荧光体可含有无机物质,该无机物质在至少包含A元素、D元素和X元素(其中,A为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少1种以上的元素,D为Si元素,X为选自O、N和F的至少1种以上的元素)、并根据需要包含E元素(其中,E为选自B、Al、Ga和In的至少1种以上的元素)的由A26(D、E)51X86所示的晶体中进一步包含M元素(其中,M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb的至少1种以上的元素)。在激发源的照射下,可在630nm~850nm的范围内的波长处具有发光峰的最大值。
  • 荧光制造方法发光装置

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