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[发明专利]组合物、粘结剂、电极合剂、电极和二次电池-CN202180013318.1在审
发明人：井口贵视;北原隆宏;矢野辽一;浅野和哉;新井佳奈子 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，其含有聚偏二氟乙烯(A)和偏二氟乙烯聚合物(B)(其中不包括聚偏二氟乙烯(A))，聚偏二氟乙烯(A)含有偏二氟乙烯单元和式(1)：CH2＝CH‑(CH)2‑COOY(式中，Y表示选自由无机阳离子和有机阳离子组成的组中的至少一种)所示的戊烯酸单元，聚偏二氟乙烯(A)的偏二氟乙烯单元的含量相对于聚偏二氟乙烯(A)的全部单体单元为95.0摩尔％～99.99摩尔％，聚偏二氟乙烯(A)的上述戊烯酸单元的含量相对于聚偏二氟乙烯(A)的全部单体单元为0.01摩尔％～5.0摩尔％。
组合粘结电极合剂二次电池

[发明专利]一种聚甲基丙烯酸甲酯/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法和应用-CN202110930294.8有效
发明人：高亮 -专利权人：高亮
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚甲基丙烯酸甲酯/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域，包括如下步骤：将聚甲基丙烯酸甲酯溶胶A和聚偏氟乙烯溶胶B混合得到共混溶胶；涂膜后进行成膜处理，得到聚甲基丙烯酸甲酯/聚偏氟乙烯复合材料。本发明采用聚甲基丙烯酸甲酯改性聚偏氟乙烯，大大降低了PVDF的介电损耗和剩余极化，提高了复合材料的击穿场强和最大电位移，综合提高了复合材料的储能特性。实施例的结果显示，本发明制备的复合材料的击穿场强达到850MV/m，释放能量密度达到27.64J/cm3，储能效率＞70％，介电损耗低至0.03，剩余极化＜1.6μC/cm2，最大电位移达到9.05μC/cm2。
一种甲基丙烯酸聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种抗冲击的轻质发泡材料及其制备方法-CN202110858393.X在审
发明人：张泽鹏 -专利权人：张泽鹏
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料领域，尤其涉及一种抗冲击的轻质发泡材料及其制备方法。按重量份计，制备原料包括：PVDF50‑200份、热塑性聚合物50‑200份、轻质剂50‑100份、填充剂10‑100份、增塑剂1‑10份、抗氧化剂1‑5份。本发明所述的材料采用独特的物理发泡工艺流程，相比现有技术中的化学发泡材料，所制备的材料孔隙大小均匀、结构坚挺饱满，受到冲击时孔隙收缩和回弹性好，具有一定的记忆功能，能承受较大程度的外力冲击；材料质量轻、耐磨性好，长期使用磨损小，适用于管道、管道配件、膜材料的制备，尤其是行李箱的制备材料。
一种冲击发泡材料及其制备方法

[发明专利]一种聚偏二氟乙烯的合成方法-CN202210887906.4在审
发明人：路传波 -专利权人：碧菲分离膜（大连）有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及聚偏二氟乙烯合成技术领域，且公开了一种聚偏二氟乙烯的合成方法，包括以下步骤：S1：准备材料，5‑8份双氧水、6‑9份无机碱溶液、7‑12份三氟甲基、5‑10份三氯乙烷溶剂、4‑9份十一氟己酰氟溶液、10‑13份二氯二氟甲烷溶剂等材料。本发明不仅能够简化聚偏二氟乙烯合成的工艺，延长其使用寿命，特别适合在室外使用，而且能够进一步提高聚偏二氟乙烯的韧性，同时还让聚偏二氟乙烯具有起到光亮作用和降低发生爆炸的效果，还能够使聚偏二氟乙烯具有良好的热稳定性和可加工性，可满足注塑、挤出和拉膜等生产工艺。
一种聚偏二氟乙烯合成方法

[发明专利]一种基于三维陶瓷网络的聚合物储能电介质及制备方法-CN202210635840.X在审
发明人：李玉超;毕雪庆;邵强;王振;杨永志;战艳虎;谢倩 -专利权人：聊城大学;聊城卓群汽车部件有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于聚合物储能电介质领域，公开了一种基于三维陶瓷网络的聚合物复合电介质材料及其制备方法。所述聚合物电介质材料包括10~30 wt%三维陶瓷网络和70~90 wt%聚合物。三维陶瓷网络利用模板法构筑，聚合物电介质材料通过向陶瓷网络反向引入聚合物获得。所述聚合物电介质材料在较低的陶瓷含量下具有较高的介电常数、储能密度和机械强度。本发明提供的聚合物电介质材料制备工艺简单、成本低廉、可设计性强，为高储能密度聚合物电介质材料的制备提供了一种新思路，应用前景广阔。
一种基于三维陶瓷网络聚合物电介质制备方法

[发明专利]一种可用于3D打印的氟树脂组合物-CN202011130038.2有效
发明人：孙洪阳;周晓勇;陈振华;周承义 -专利权人：浙江巨化技术中心有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于3D打印的氟树脂组合物，所述的氟树脂组合物包含氟树脂和含氟功能树脂。改性后的含氟功能材料作为增强体，通过机械共混的方式得到分散均匀的氟树脂组合物，所得制品具有较低的收缩性和良好的机械性能。该组合物可作为3D打印的原材料使用。
一种用于打印树脂组合

[发明专利]一种超疏水自清洁辐射自降温材料及其制备方法-CN202110062875.4有效
发明人：薛朝华;韦任轩;贾顺田 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水自清洁辐射自降温材料及其制备方法，其特征是首先把聚偏氟乙烯共六氟丙烯(P(VDF‑HFP))和疏水二氧化硅(SiO2)共混于混合溶剂中得到P(VDF‑HFP)/SiO2复合悬浮液；向溶液中逐滴加入非溶剂使P(VDF‑HFP)/SiO2发生相分离形成半透明的溶胶；然后浇铸于培养皿中室温干燥，获得具有微纳双阶多孔结构的复合材料。本发明制备工艺简便，方法简单，原料易得，易大面积生产。
一种疏水清洁辐射降温材料及其制备方法

[发明专利]一种PTFE三维多孔辐射薄膜及其制备方法-CN202210644173.1在审
发明人：郑晓平;马乐;于海阔;李佼佼 -专利权人：南京天诗新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种PTFE三维多孔辐射薄膜及其制备方法，通过将聚偏氟乙烯、超细聚四氟乙烯粉末、氟化钙粉末、钛白粉、聚氨酯树脂、溶剂混合研磨制备得到流延浆料，将流延浆料、衬底材料经特定流延滚筒工艺制备得到具有使用强度优异的多尺度孔洞结构的辐射薄膜，有效解决辐射制冷技术中存在工艺繁复、辐射制冷效果有限、生产成本较高、制冷材料对环境存在一定危害等问题，有效提高辐射薄膜的阳光反射率、辐射率，提升辐射薄膜降温效果，降低生产成本，减少环境污染，可实现工业化生产。
一种 ptfe 三维多孔辐射薄膜及其制备方法

[发明专利]含氟聚合物热塑性弹性体-CN201880037499.X有效
发明人： R.阿明-萨纳伊;S.德维斯姆;F.阿布格拉尔;J.乔沃;A.邦内特;G.奥布里恩 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及由包含至少一种含氟聚合物F的成分制成的物品或物品部件，其中：‑所述至少一种含氟聚合物F包含偏二氟乙烯单元和至少30重量％的衍生自至少一种式(I)的单体的单元：(I)CX1X2＝CX3Y，其中X1、X2和X3中的每个独立地选自H、Cl、F、Br、I和包含1至3个碳原子的任选部分或完全卤化的烷基，并且Y是包含1至3个碳原子的任选部分或完全卤化的烷基；‑所述成分中的所述至少一种含氟聚合物F的比例为至少80重量％；并且在230℃的温度下并且在100s‑1的剪切速率下成分的粘度为至少1000Pa.s。
聚合物塑性弹性体

[发明专利]一种片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物的复合薄膜及其制备方法-CN202110626141.4有效
发明人：李伟平;侯亚飞;陈辉;武志杰;陈益敏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物的复合薄膜及其制备方法，特点是该复合薄膜由片状核壳结构Ni(OH)2@TiO2填充于聚偏氟乙烯共聚物复合而成，片状核壳结构为片状核层氢氧化镍外部包裹一层壳层二氧化钛，片状核壳结构在聚偏氟乙烯共聚物中的掺杂体积百分比为1‑4%，其制备方法包括以下步骤：首先采用水热法制备Ni(OH)2纳米片，然后对其进行二氧化钛包裹后，再与聚偏氟乙烯共聚物复合，应用刮刀涂布法制备得到片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物复合薄膜，优点是能够显著提高介电、击穿和储能性能，并维持了聚合物自身优异的电绝缘和机械性能。
一种片状结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物复合薄膜及其制备方法

[发明专利]氟树脂膜-CN202210619256.5在审
发明人：横谷幸治;小松信之;硲武史;立道麻有子;桧垣章夫;樋口达也;山﨑景子 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。
树脂

[发明专利]一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法-CN202010939724.8有效
发明人：郭富民;权红英;刘煜 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，包括以下步骤：1、将氟化镁粉末与浓度为5~12 mol/L的盐酸混合，搅拌均匀至氟化镁完全溶解，制备得到刻蚀剂；2、将MAX粉末加入步骤1制备得到的刻蚀剂中进行刻蚀，刻蚀完成后调节溶液pH值在5~7之间，再将溶液离心水洗后得到沉淀物，最后将沉淀物烘干得到成品MXene；3、将步骤2得到的MXene和聚偏氟乙烯于不同比例混合，加入无水乙醇反复研磨得到预混合物，再采用热压成型工艺将预混合物热压成型，得到片层状的二维纳米材料MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料。本发明提供的方法制备得到的复合材料加工性能好，介电常数高、介电损耗低。
一种 mxene 掺杂聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种耐低温高强高韧改性氟橡胶半互穿网络薄膜材料及其制备方法-CN202110427273.4有效
发明人：邓超;胡桢;白永平;朱肖楠;刘慧慧;李尚斌;郑申声;祝青 -专利权人：哈尔滨工业大学无锡新材料研究院;中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性氟橡胶半互穿网络薄膜材料及其制备方法，其中的改性氟橡胶半互穿网络薄膜材料包括如下步骤：第一组分溶液配制：将固体氟橡胶加入至溶剂中，在60℃下搅拌2h后室温冷却；第二组分溶液配制：在端羟基液体氟橡胶中加入多异氰酸酯固化剂，搅拌均匀，然后加入催化剂，常温下搅拌10min；第三组分溶液配制：将二元醇、含氟异氰酸酯、含氟小分子扩链剂溶解于溶剂中，搅拌均匀，然后加入催化剂，在常温下搅拌10min；薄膜材料配制：将第一组分溶液、第二组分溶液及第三组分溶液加入至容器中，常温下搅拌混合20min，放置10min除泡获得共混溶液。与传统的氟橡胶材料相比，本发明制备的改性氟橡胶半互穿网络薄膜材料的低温性能和物理机械性能得到显著提升。
一种低温高强改性氟橡胶半互穿网络薄膜材料及其制备方法

[发明专利]用于致动器的基于电活性氟聚合物的制剂-CN201880052017.8有效
发明人：法布里斯·多曼格斯·多斯·桑托斯;崔承太;陈越兴 -专利权人：阿克马法国公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及通过混合特定电活性氟三元共聚物及特定电活性氟化共聚物而获得的组合物。本发明还涉及可在安全环境中经由用于印刷电子元件及微电子元件的常规处理技术而使用的液体制剂(墨水)，所述液体制剂(墨水)是基于这些组合物。本发明的另一方面为使用这些制剂制造的膜，及包括这些膜的至少一个层的装置。
用于致动器基于活性聚合物制剂

[发明专利]光敏铁电聚合物复合薄膜及其制备方法以及使用该复合薄膜的铁电器件或压电器件-CN202111289976.1有效
发明人：王瑶;黄辰;张凌宇;成子巍;邓元 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光敏铁电聚合物复合薄膜及其制备方法，以及使用该复合薄膜的铁电器件或压电器件。本发明的复合薄膜包括：有机柔性聚合物基体，和无机‑有机杂化钙钛矿填料颗粒，其中，所述填料颗粒相对于所述复合薄膜的总质量的含量为1质量％～5质量％，并且所述填料颗粒以单分散状态存在于所述基体中。
光敏聚合物复合薄膜及其制备方法以及使用器件压电