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[发明专利]一种硼氮氢化合物K[B3-CN202111013316.0有效
发明人：陈西孟;贾斯涵;王红菊;陈学年 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼氮氢化合物K[B3H7NH2BH2NH2B3H7]的合成方法，属于硼氮氢化合物的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：在无水无氧的条件下将氢化钾加入到反应容器中，再加入NH3B3H7的四氢呋喃溶液，于‑40～50℃搅拌反应制得目标产物硼氮氢化合物K[B3H7NH2BH2NH2B3H7]。本发明提供的合成方法操作简单，安全高效，适合规模化生产，为其进一步的性能研究打下了基础。
一种氢化 base sub

[发明专利]化合物氟硼酸铅和氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201911278125.X有效
发明人：潘世烈;韩树娟;于浩海 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物氟硼酸铅和氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为a=10.025(10)Å，b=8.764(9)Å，c=8.073(8)Å，单胞体积为709.3(13)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的6倍，紫外截止边低于225nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
化合物硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种负氧离子粉体的制备方法-CN202310229980.1在审
发明人：吴琛;邹长根;尹正;赵宝军;曾维来;姚杰;侯苗苗 -专利权人：中建海龙科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种负氧离子粉体的制备方法。该制备方法通过在电气石粉中同时掺入氯化锂和正硅酸乙酯，并经过热处理对电气石粉进行改性，获得了负离子释放量高的电气石基负氧离子粉。其中各组分在粉料中质量百分比含量为：电气石粉：55～86％；氯化锂：0.5～1％；正硅酸乙酯：13～45％，煅烧温度为：300～400℃。本发明制备工艺简单、价格低廉，本发明的负氧离子粉体性能优异，具有高的负氧离子释放效果。
一种离子制备方法

[发明专利]化合物氟化硼酸钠和氟化硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途-CN202211606262.3在审
发明人：杨志华;潘世烈;党羽;张杰;史宏声 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物氟化硼酸钠和氟化硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=11.3568(10)Å，b=6.4942(5)Å，c=15.3759(13)Å，α=90°，β=108.272(3)，γ=90°，单胞体积为1076.84(16)Å3，紫外吸收边为168 nm，双折射率为0.124@1064 nm。采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性良好，能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要作用。
化合物氟化硼酸双折射晶体制备方法用途

[发明专利]一种无水四硼酸锂的制备方法-CN202211028452.1有效
发明人：李良彬;叶明;彭璐;傅雨虹;陈如;潘志芳;王超强;邓文;姜志强;王欣荣;李凌峰;彭琴 -专利权人：江西赣锋锂业股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无水四硼酸锂的制备方法。所述无水四硼酸锂的制备方法包括以下步骤：A、氢氧化锂溶解；B、中和反应；C、过滤除杂；D、蒸发浓缩；E、沉淀析晶；F、过滤淋洗；G、鼓风干燥，包装。本发明利用单水氢氧化锂和硼酸为原料，以无水乙醇做沉淀剂直接制备无水四硼酸锂的方法工艺简单，收率高，经济价值高，易工业化生产等特点。
一种无水硼酸制备方法

[发明专利]一种十二硼酸钠的高产率制备方法-CN202211663970.0在审
发明人：李海文;李晓;何礼青;范志超;王冰;陈学东 -专利权人：合肥通用机械研究院有限公司;合肥通用机械研究院特种设备检验站有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，尤其是一种十二硼酸钠的高产率制备方法。本发明依次将NaBH4、二甘醇二甲醚和BH3·DMS添加到反应器中，并在室温下搅拌反应物使其充分溶解和混合；将高压反应釜从室温升至160℃，并在该温度下保持24小时，随后自然冷却至室温，得到反应产物；并于真空中抽滤，再用二甘醇二甲醚对反应产物进行洗涤过滤，之后再真空干燥获得Na2B12H12·DGM；将干燥后的产物Na2B12H12·DGM在真空下以200℃保温12小时，得到最终目标产物Na2B12H12。本发明提出了一种全新的、成本更低的十二硼酸钠(Na2B12H12)的合成方法，且目标产物只有Na2B12H12微溶于二甘醇二甲醚，通过简单的过滤操作即可得到纯度较高的产物，且产率可以达到80％‑85％。
一种十二硼酸高产制备方法

[发明专利]化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途-CN202111219639.5在审
发明人：吴红萍;袁斌倩;俞洪伟;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧及氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该化合物和晶体化学式通式均为A3La4B3O13Cl，其中A＝Sr，Ba，空间群为P63，属于六方晶系，晶胞参数为Z＝2。化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧采用固相反应法合成，氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该材料可应用于制造二次谐波发生器、上下频率转换器，光参量振荡器等。
化合物硼酸及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物溴硼酸钡镧及溴硼酸钡镧非线性光学晶体和制备方法及用途-CN202111214125.0在审
发明人：吴红萍;袁斌倩;俞洪伟;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物溴硼酸钡镧及一种溴硼酸钡镧非线性光学晶体的制备方法和用途，该化合物溴硼酸钡镧及其非线性光学晶体化学式均为Ba3La4B3O13Br，晶体属六方晶系，空间群均为P63(mc)，晶胞参数为分子量为1287.93，其粉末倍频效应约为6倍KDP(KH2PO4)。化合物溴硼酸钡镧采用固相反应法合成，溴硼酸钡镧非线性光学晶体采用高温熔液法生长或者提拉法生长该晶体，该晶体制备方法简单，成本低，且制得的晶体机械硬度大，通过该方法获得的溴硼酸钡镧晶体作为非线性光学倍频器件应用。
化合物硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种化合物硼酸锂钠及制备方法和用途-CN202310018550.5在审
发明人：史宏声;党羽 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物硼酸锂钠及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Li1.45Na7.55B21O36，分子量为986.65，属于六方晶系，空间群为P63/mcm，晶胞参数为a=9.3446Å，b=9.3446Å，c=20.2013Å，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为1527.68Å3，采用固相合成法，高温熔液法，水热法或室温溶液法制成。本发明所述的硼酸锂钠在空气中不潮解，在732℃以内是稳定的，紫外吸收边短于200nm，结构中存在着一维锂离子孔道结构，可作为锂离子电池电极材料。
一种化合物硼酸制备方法用途

[发明专利]一种六硼酸钙的制备方法-CN202310071350.6在审
发明人：彭姣玉;董亚萍;杨克利;李武 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种六硼酸钙的制备方法，将油田卤水的副产物南极石和去离子水混合、加热、搅拌，溶解制得氯化钙溶液，过滤分离后降温结晶得到重结晶六水氯化钙；所述重结晶六水氯化钙与硼酸钠溶液经恒温水浴，搅拌条件下进行反应，制备得到四水合六硼酸钙或五水合六硼酸钙。
一种硼酸制备方法

[发明专利]系列碱金属硼磷酸盐化合物及碱金属硼磷酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202211033912.X在审
发明人：俞洪伟;刘浩囡;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及系列碱金属硼磷酸盐化合物及碱金属硼磷酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A3B11P2O23，其中A＝K，Rb，Cs，NH4，分别为K3B11P2O23、Rb3B11P2O23、Cs3B11P2O23或(NH4)3B11P2O23。该系列晶体属于三方晶系，空间群R3，晶胞参数Z＝3。该系列碱金属硼磷酸盐化合物采用固相反应法或水热法合成，该系列非线性光学晶体采用高温熔液法、水热法或溶液法生长。该系列材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
系列碱金属磷酸盐化合物非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]利用微波加热低温合成纳米稀土硼化物材料的制备方法-CN202210811565.2有效
发明人：秦晓婷;刘金龙;尹健;李璐;彭维;张光睿;赵长玉;王安丽 -专利权人：天津包钢稀土研究院有限责任公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用微波加热低温合成纳米稀土硼化物材料的制备方法，包括如下步骤：（1）按照化学计量数比称取稀土源和硼源，放入球磨罐进行球磨12‑48h，然后烘干，烘干后粉碎备用；（2）将步骤（1）粉碎后的粉体装入容器内进行微波反应，反应温度为100‑180℃，反应时间为3min‑60min后得到粗粉体；（3）将反应得到的粗粉体进行酸洗和水洗，干燥后得到纯净的稀土六硼化物。本发明所述的制备方法相较于现有的合成稀土硼化物的方法原料组成更简单，工艺条件也更简化，工艺周期短，设备要求低，生产效率高，产物产率高、纯度高，无任何危险原料和副产物生成，更适合于放大化工业生产。
利用微波加热低温合成纳米稀土硼化物材料制备方法

[发明专利]化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途-CN202210473394.7在审
发明人：潘世烈;焦佳豪;张敏 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.175(3) Å，b=7.927(2) Å，c=14.096(4) Å，β=120.219(17)，V=789.3(4) Å3，Z=4，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.109（532 nm）。本发明所述的三羟基氯三硼酸铯双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
化合物羟基硼酸双折射晶体制备方法用途

[发明专利]一种不易脱附的电气石表面增白处理方法及具有核壳结构的电气石@分子筛复合材料-CN202210155108.2在审
发明人：余巍;彭虎;黎锦晖;黄文燕;利志彬;王平 -专利权人：佛山市玖伍柒科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及电气石功能材料技术领域，具体涉及一种不易脱附的电气石表面增白处理方法及采用该方法制成的具有核壳结构的电气石@分子筛复合材料。该方法包括粉碎、投料、碱反应、过滤洗涤、酸中和、脱铁和洗涤干燥等步骤。本发明首创性地能够在电气石表面生长一层方钠石，而且非常牢固，不易脱落，使其白度显著提升达到55～65，解决了现有电气石粉体白度较低、容易脱附的技术难题，并且得到了具有核壳结构的电气石@分子筛复合功能材料，实现了电气石和沸石分子筛功能的协同效应，从而使电气石走向产业化，在涂料、建筑、环保等领域具有非常好的应用前景。
一种不易电气石表面增白处理方法具有结构分子筛复合材料

[发明专利]盐湖碳酸锂生产中排放的含硼废水生产高纯度硼砂的方法-CN202110124045.X有效
发明人：朱红卫;马存彪;王守恒;张青山;张学鹏;吕春英 -专利权人：格尔木藏格锂业有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种盐湖碳酸锂生产中排放的含硼废水生产高纯度硼砂的方法，包括以下步骤：S1：一级纳滤系统过滤；S2：MVR蒸发浓缩；S3：二级纳滤系统过滤；S4：反渗透膜系统过滤；S5：MVR蒸发浓缩；S6：加入硫酸、碳酸钠；S7：三级纳滤系统过滤；S8：干燥和包装；步骤S1之前还包括如下步骤：将含硼卤水送入离子交换树脂中处理，得到含锂元素和硼元素的卤水；步骤S2和步骤S3之间还包括如下步骤：利用表面涂覆硼的纳滤膜对步骤S2得到的浓缩液进行分离。本发明将含硼卤水中的锂元素分离后，依次通过二级纳滤系统过滤、反渗透膜系统过滤、MVR蒸发浓缩、加入硫酸、碳酸钠和三级纳滤系统过滤，能够生产高纯度的硼砂，回收大量淡水，提高了盐湖资源的利用率。
盐湖碳酸锂生产排放废水纯度硼砂方法

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