[发明专利]用于可配置表面的信道估计在审
申请号: | 202180053956.6 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN116057852A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 萨拉赫·埃德迪内·泽格拉尔;丽莎·埃菲夫·奥马尔·谢哈布·埃尔丁;侯赛因·阿尔斯兰 | 申请(专利权)人: | 伟视达电子工贸有限公司 |
主分类号: | H04B7/06 | 分类号: | H04B7/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 土耳其*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 配置 表面 信道 估计 | ||
本公开涉及使用可(重)配置表面的通信系统的接收设备处的信道估计。信道估计包括波束成形搜索,以获得可配置表面的训练后的反射系数和信号在接收设备处的到达角AoA。然后,基于可配置表面以及接收设备处获得的AoA,推导出可配置表面的反射系数用于发射设备与可配置表面之间的理想信道部分。根据训练后的反射系数与估计后的反射系数之间的关系,执行发射设备与可配置表面之间的信道特性的估计。可以在用户移动性跟踪中使用这种信道估计。
技术领域
本公开涉及通信设备处的信道估计,这些设备通过可配置表面上的反射与其他通信设备进行通信。
背景技术
毫米波(Millimeter-wave,mmWave)通信已经成为5G通信系统的关键技术之一。虽然mmWave由于其较宽的信号带宽可以实现高数据速率和高频谱效率,但是通常会遭受严重的路径损耗和通信设备之间视线的阻挡。
可重配置智能表面(Reconfigurable intelligent surface,RIS)已经被讨论作为一种提高无线通信性能的技术。RIS的元素可以使入射波朝向任何期望的方向反射、折射、吸收或聚焦。这种功能可以有助于克服上面提到的mmWave传播条件问题,包括路径衰减和阻挡。
然而,由于RIS元素的无源(passive)性以及多输入多输出(multiple-inputmultiple-output,MIMO)系统产生的估计开销,RIS-辅助通信中的信道估计仍然是主要关注的问题。
发明内容
描述了用于在通信系统中估计信道的方法和技术,该通信系统包括经由可配置表面彼此通信的接收设备和发射设备。
本发明由独立权利要求的范围限定。有些进一步的示例性实施例是从属权利要求的主题。
根据实施例,提供了一种方法,用于在接收设备处估计发射设备与接收设备之间的信道(BS-UE)的特性,该信道包括可配置表面上的反射,该方法包括执行波束成形搜索以用于通过信道(BS-UE)进行信号传输,从而获得:可配置表面的训练后的反射系数,以及信号在接收设备处的到达角AoA;基于可配置表面的训练后的反射系数和在接收设备处获得的AoA,估计用于发射设备与可配置表面之间的理想信道(BS-RIS)的可配置表面的估计后的反射系数;以及根据训练后的反射系数与估计后的反射系数之间的关系,估计发射设备与可配置表面之间的信道(BS-RIS)的特性。
在参考附图考虑到以下描述和所附权利要求时,当前所公开主题的这些及其他特征和特性,以及操作的方法和结构的相关元素的功能连同部件的组合和制造的经济性将变得更加明显,所有的附图构成了本说明书的一部分。然而,应当清楚理解,附图仅仅是出于说明和描述的目的,并且不旨在作为对所公开主题的限制的定义。如说明书和权利要求书所用,除非上下文另有明确规定,否则单数形式的“一”、“一个”和“该”包括复数指代。
附图说明
对各种实施例的本质和优点的理解可以通过参考以下附图来实现。
图1是用于实施本公开的一些实施例的系统的示意图。
图2是说明用于信道估计的分级波束搜索算法过程的示意图。
图3是说明用于信道估计的装置的示例性实施方式的框图。
图4是说明用于信道估计和跟踪的方法的流程图。
图5是说明当G是具有5条路径的几何模型时用于理想信道G以及在方位角(azimuth)域(左图)和仰角(elevation)域(右图)中的主要波束图案的示意图。
图6是说明包括RIS在内的信道的接收机和发射机的通信设备的示意图。
根据某些示例实施方式,各个图中相同的附图标记和符号表示相同的元素。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伟视达电子工贸有限公司,未经伟视达电子工贸有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180053956.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:将光源耦合到光子集成电路
- 下一篇:SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆