[发明专利]一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法

说明书

本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。

技术领域

本发明属于蚀刻液技术领域，具体涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法。

背景技术

氧化铟锡（ITO）导电膜是在钠钙基或硅硼玻璃上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。ITO导电膜具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有优异的附着性、抗擦伤等性能而广泛应用于面板显示行业。为制备出所需要的电极图形，通常需要对ITO导电膜进行湿法蚀刻。现有行业用作面板过程中ITO蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液等，这些蚀刻液腐蚀能力强，在蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，难以控制蚀刻精度。

中国专利CN201210206045.5公开了一种新型王水系ITO蚀刻液及制备方法，该ITO蚀刻液包括盐酸、硝酸、纯水和添加剂，其中添加剂包含硝酸盐化合物、氯基化合物及表面活性剂，其蚀刻液腐蚀能力强，在蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，不适用厚度较小的ITO膜层，且该蚀刻液的制备工艺较为复杂。

中国专利CN201510832036.0公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液，其组分按重量百分比计包括：4~16%的硫酸、7~22%的硝酸、0.1~10%的醋酸、0.01~5%的添加剂、余量的水，采用硫酸/硝酸/醋酸三酸系的ITO蚀刻体系，其所用酸的含量都较高，蚀刻反应剧烈，难以控制蚀刻精度，不适用于厚度较小的ITO膜层，而且蚀刻液成本较高。

因此，亟需一种适用于不同厚度ITO膜层且能保证蚀刻精度的兼容性ITO蚀刻液，在蚀刻过程中只需控制蚀刻时间无需切换蚀刻液。

发明内容

本发明的目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液，其适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种兼容性ITO蚀刻液，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%-3%，余量为纯水。

进一步的，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%，余量为纯水。

进一步的，所述硝酸为电子级，所述硝酸浓度为71%wt。

进一步的，所述硫酸为电子级，所述硫酸浓度为98%wt。

进一步的，所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾、中的任意一种或多种。

更进一步的，所述金属盐为醋酸钠。

进一步的，所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。

更进一步的，所述铵盐为氟化铵。

本发明的另一目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：

（1）将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%～30%、10%～20%、1%~10%、0.5%-3%，其余为纯水的配比称重配置。

（2）在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐，充分搅拌，混合均匀。