[发明专利]一种光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110588011.6 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113328005A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵晓龙;丁梦璠;龙世兵;徐光伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
衬底；
窄禁带层，用于响应可见、红外至太赫兹波段的光谱；以及，
超宽禁带层，用于响应深紫外波段的光谱；
一对电极，沉积于所述超宽禁带层和/或所述窄禁带层上。
2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述超宽或窄禁带层可以为块材、薄膜或纳米结构中的任意一种。
3.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述超宽禁带层材料为氧化镓、氮化铝、金刚石、铝镓氮、铝镓氧、锌镁氧中的一种。
4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述窄禁带层材料为Fe3O4、MoS2、Mo2C、MoSe2、SnSe、MAPbX3中的一种；
其中，MA表示CH3NH3+/CH(NH2)2+，X表示I/Br/Cl。
5.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，沉积于所述超宽禁带层的所述电极的制成材料为Ti/Au、Ti/Al/Ni/Au、Cr/Au、Ag、In、ITO、Ni/Au、Pt、Au、石墨烯中的一种。
6.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，沉积于所述窄禁带层的所述电极的制成材料为Ti/Au、Cr/Au、Ag、In、ITO、Ni/Au、Pt、Au、石墨烯中的一种。
7.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在衬底上沉积窄禁带材料；
S2：在所述窄禁带材料上沉积超宽禁带材料；
S3；图形化超宽禁带材料层；
S4：在所述窄禁带材料上沉积相应电极；
S5：在所述超宽禁带材料上沉积相应电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
