[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括衬底和入射光抗反射层；

所述衬底的顶面为光入射面；所述入射光抗反射层设置于所述衬底的顶面上；

所述衬底包括多个掺杂区；所述掺杂区是向所述衬底掺入杂质离子而形成的；所述掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区；所述光线入射端P型重掺杂区位于所述衬底的顶部；所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区均位于所述衬底的底部，所述P型重掺杂区位于所述N型重掺杂区的两侧，且每一所述P型重掺杂区与所述N型重掺杂区之间均存在间隙；所述P型掺杂区位于所述N型重掺杂区的上方，且所述P型掺杂区的底面与所述N型重掺杂区的顶面相贴合；除所述光线入射端P型重掺杂区、所述N型重掺杂区、所述P型重掺杂区和所述P型掺杂区所处区域外，所述衬底的其他区域均为所述P型低掺杂区；

所述P型重掺杂区与阳极引出端电连接，所述N型重掺杂区与阴极引出端电连接；

所述雪崩光电二极管还包括基板；所述基板位于所述衬底的下方，所述基板的顶面与所述衬底的底面相贴合；所述衬底的顶面为凹凸面，具有一个第一凸起部；所述基板的顶面具有与所述第一凸起部形状相同的第二凸起部；所述N型重掺杂区位于所述第二凸起部上；

所述P型重掺杂区的高度高于所述P型掺杂区的顶面所处水平线的高度；或者，所述雪崩光电二极管还包括隔离结构；所述隔离结构设置于所述P型重掺杂区上；所述隔离结构的顶面所处水平线的高度高于所述P型掺杂区的顶面所处水平线的高度。

2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述基板上开设有多个沿高度方向的凹槽，所述凹槽用于放置所述阳极引出端和所述阴极引出端。

3.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述阳极引出端和所述阴极引出端均从所述衬底的底部引出。

4.根据权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，从所述衬底的顶面向所述衬底掺杂预设厚度的杂质离子，形成所述光线入射端P型重掺杂区。

5.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述N型重掺杂区和所述P型掺杂区的顶面均与所述第一凸起部的形状相同。

6.一种光电倍增管探测器，其特征在于，包括多个雪崩光电二极管单元；多个所述雪崩光电二极管单元并联连接；

每一所述雪崩光电二极管单元均包括如权利要求1-5任一项所述的雪崩光电二极管和淬灭电阻，所述雪崩光电二极管和所述淬灭电阻串联连接。