[发明专利]一种引线框架的镀层工艺在审
申请号: | 202110399014.5 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113279031A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 陈艳竹 | 申请(专利权)人: | 赛肯电子(徐州)有限公司 |
主分类号: | C25D5/12 | 分类号: | C25D5/12;C25D3/38;C25D3/12;C25D3/56;C25D3/46;C25D5/48;C25D5/02 |
代理公司: | 济南市新图新夏天专利代理事务所(普通合伙) 37330 | 代理人: | 陈体芝 |
地址: | 221000 江苏省徐州市鼓*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 镀层 工艺 | ||
1.一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、表面预处理:引线框架浸入电解溶液中电解20~30s,之后用自来水清洗后吹干,再放入氨基磺酸活化溶液中浸泡10~20s,再用自来水清洗,接着用去离子水清洗后吹干;
S2、镀铜处理:将表面预处理过的引线框架放入镀铜液中电沉积10~20s,之后用去离子水清洗后吹干,再将引线框架的功能区浸入铜镀液中电沉积10~15s局部镀铜,接着用去离子水清洗后吹干;
S3、镀镍处理:将局部镀铜处理后的引线框架放入镀镍液中电沉积10~20s,之后用去离子水清洗后吹干,再将引线框架的功能区浸入镍镀液中电沉积10~15s局部镀镍,接着用去离子水清洗后吹干;
S4、镀镍钯合金处理:然后将局部镀镍处理后的引线框架的功能区浸入镍钯合金镀液中电沉积5~15s局部镀镍钯合金,再用去离子水清洗后吹干;
S5、镀银处理:将引线框架放入镀银液中电沉积10~20s,之后用去离子水清洗后吹干,再将引线框架的功能区放入银镀液中电沉积5~15s局部镀银,接着用去离子水清洗后吹干;
S6、过银保护处理:取局部镀银处理后的引线框架放入浓度为7mL/L的银保护药水中浸泡5~20s,之后用去离子水清洗后吹干,即完成引线框架的镀层工艺。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述镀铜液中含有焦磷酸铜80~110g/L,焦磷酸钾15~20g/L和酒石酸10~15g/L,电流密度为5~15A/dm2,铜镀液的温度为50℃~60℃。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述镀镍液中含有氨基磺酸镍50~70g/L、氯化镍5~10g/L、硼氢化钠35~45g/L和柠檬酸三钠45~55g/L,电流密度为5~10A/dm2,镀镍液温度为50℃~60℃。
4.根据权利要求1所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述镍钯合金镀液中含有硫酸镍30~50g/L、二氯化钯30~40g/L、柠檬酸三钠35~65g/L和硼酸30~40g/L,电流密度为5~15A/dm2,镍铜合金镀液温度为50℃~60℃。
5.根据权利要求1所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述镀银液中含有甲基磺酸银30~50g/L、柠檬酸钾10~30g/L、甘氨酸15~25g/L、硼砂5~10g/L、酒石酸锑钾2~5g/L、改性聚甲基丙烯酸0.3~0.5g/L和改性附着剂0.5~1.5g/L,电流密度为3~8A/dm2,镀银溶液温度为50℃~60℃。
6.根据权利要求5所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述改性附着剂由UV密着剂CK-012、丙烯酸羟乙酯、五氧化二磷、异丙醇和去离子水制备而成。
7.根据权利要求6所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述改性附着剂的制备方法为:将丙烯酸羟乙酯倒入烧杯中搅拌,在35℃的温度下,加入五氧化二磷和UV密着剂CK-012,待其完全溶解后,逐渐升温至65℃,酯化3小时,然后升温至80℃,加入去离子水水解2小时,水解后用异丙醇稀释后,即得改性附着剂。
8.根据权利要求5所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述改性聚甲基丙烯酸由聚甲基丙烯酸、BT树脂和硅烷偶联剂KH550制备而成。
9.根据权利要求8所述的一种引线框架的镀层工艺,其特征在于,所述改性聚甲基丙烯酸的制备过程为:将聚甲基丙烯酸与BT树脂混合,并加入硅烷偶联剂KH550,随后对其在80℃的温度下进行水浴加热15min后即得改性聚甲基丙烯酸。
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