[发明专利]一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法在审
申请号: | 202110369871.0 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113029374A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 曾永春 | 申请(专利权)人: | 大连博控科技股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116000 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 绝缘 强度 铂电阻 温度传感器 制造 方法 | ||
本发明公开一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法,依次按照如下步骤进行:将铠装丝以5~12℃/h的速率升温至400~600℃,保温≥24h,再将铠装丝以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;将第一中间组合件以5~12℃/h的速率升温至200~300℃,保温≥2h,再将第一中间组合件以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;将第二中间组合件以5~12℃/h的速率升温至300~400℃,保温≥4h,再将第二中间组合件以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;将第二中间组合件与连接器组装即可。
技术领域
本发明涉及温度传感器技术领域,尤其是一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法。
背景技术
目前,铠装铂电阻温度传感器的制造方法是取具有外皮和内芯的铠装丝,将铂电阻焊接至铠装丝的内芯末端形成第一中间组合件,然后将氧化镁等绝缘粉末填充于铠装丝末端包埋铂电阻,再将底垫与铠装丝的外皮末端焊接,形成第二中间组合件,最后将第二中间组合件与连接器组装即可。上述方法制造的铠装铂电阻温度传感器的高温绝缘电阻通常较小,特别是400℃以上高温条件下的绝缘电阻通常只有2~10MΩ。虽然符合IEC751大于2 MΩ的标准要求,但是当其应用于对绝缘强度要求较高的核电领域时,存在安全隐患。
发明内容
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题,提供一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法。
本发明的技术解决方案是:一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法,依次按照如下步骤进行:
步骤1:取铠装丝,将铠装丝以5~12℃/h的速率升温至400~600℃,保温≥24h,再将铠装丝以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;
步骤2:将铂电阻焊接至所述铠装丝的内芯末端得到第一中间组合件,然后将所述第一中间组合件以5~12℃/h的速率升温至200~300℃,保温≥2h,再将第一中间组合件以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;
步骤3:将绝缘粉末填充于所述铠装丝的末端包埋铂电阻并将底垫与所述铠装丝的外皮末端焊接,得到第二中间组合件,然后将所述第二中间组合件以5~12℃/h的速率升温至300~400℃,保温≥4h,再将第二中间组合件以5~12℃/h的速率降温至≤40℃;
步骤4:将所述第二中间组合件与连接器组装即可。
所述步骤1~3中的升温和/或降温为至少两个阶段,每个阶段之间有时间为0.5~2h的保温阶段。
本发明采用三次退火并合理控制每次退火的温度及时间,使所制造的铠装铂电阻温度传感器具有较高的绝缘强度,无论是室温还是在400℃高温条件下的绝缘电阻均大于等于100MΩ,避免绝缘强度低的铠装铂电阻温度传感器应用于核电领域所存在的安全隐患。
附图说明
图1是本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
本发明的一种具有高绝缘强度的铠装铂电阻温度传感器的制造方法如图1所示,依次按照如下步骤进行:
步骤1:取铠装丝1,将铠装丝1以8℃/h的速率升温至500℃,保温24h,再将铠装丝1以8℃/h的速率降温至40℃;
步骤2:将铂电阻2焊接至所述铠装丝1的内芯1-1末端得到第一中间组合件,然后将所述第一中间组合件以8℃/h的速率升温至250℃,保温2h,再将第一中间组合件以8℃/h的速率降温至40℃;
步骤3:将绝缘粉末3填充于所述铠装丝1的末端包埋铂电阻2并将底垫4与所述铠装丝1的外皮1-2末端焊接,得到第二中间组合件,然后将所述第二中间组合件以8℃/h的速率升温至350℃,保温4h,再将第二中间组合件以8℃/h的速率降温至40℃;
步骤4:将所述第二中间组合件与连接器5组装即可。
实施例2:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连博控科技股份有限公司,未经大连博控科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110369871.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。