[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202110295279.0 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113113551B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 邹伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括:基板、薄膜晶体管层、若干个发光单元、封装层以及偏光片。其中,偏光片具有若干个与所述发光单元对应设置的亮度调节结构。通过在偏光片上对应于发光单元的位置处设置亮度调节结构,调节各个发光单元对应的偏光片的厚度,进而调节各个发光单元对应的发光亮度,最终改善色偏现象,提升显示面板的显示良率,提升客户体验感。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)具有电压需求低、效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、对比度高、耗电低、反应速度快、可折叠及自发光等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一。
为充分利用自发光特性,OLED器件在工业上普遍使用顶发射结构(英文全称:TopEmission,简称:TE)。相比于底发射结构(英文全称:Bottom Emission简称:BE),顶发射结构的发光效率能够有近乎一倍的提升。
其中,TE通过微腔结构(Micro cavity)改变了出光模式,出光分布不再具有传统BE结构的朗博体特性。由于RGB发光单元的发射波长不同,因此需要通过优化微腔腔长来达到最大增益效果,因此在全彩显示中,RGB发光单元在各角度的亮度与色度存在差异,导致产生色偏(WAD)现象,降低显示面板的显示良率,降低客户体验感。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法,其能够解决现有显示面板中存在色偏、显示良率低,客户体验感差等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于所述基板上;若干个发光单元,间隔设置于所述薄膜晶体管层上;封装层,设置于所述发光单元上;以及偏光片,设置于所述封装层上,其具有若干个与所述发光单元对应设置的亮度调节结构。
进一步的,其中所述亮度调节结构包括:凹槽,设置于所述偏光片远离所述基板的一侧的表面上,且与所述发光单元对应设置。
进一步的,其中所述亮度调节结构包括:凸起,设置于所述偏光片靠近所述基板的一侧的表面上,且与所述发光单元对应设置。
进一步的,其中所述显示面板还包括:光阻层,设置于所述封装层与所述偏光片之间;以及通孔,贯穿所述光阻层,且与所述凸起相对设置;其中,所述凸起填充于所述通孔内。
进一步的,其中每一所述亮度调节结构的中心线与其对应的发光单元的中心线重合。
进一步的,其中所述亮度调节结构的截面的形状包括弧形、梯形、矩形中的一种或多种。
进一步的,其中当所述通孔的截面的形状为梯形时,所述梯形的上底宽度小于其对应的所述发光单元的宽度。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种本发明涉及的显示面板的制备方法,其包括如下步骤:提供一基板;在所述基板上制备薄膜晶体管层;在所述薄膜晶体管层上间隔设置若干个发光单元;在所述发光单元上制备封装层;以及在所述封装层上制备偏光片,所述偏光片具有若干个与所述发光单元对应设置的亮度调节结构。
进一步的,在所述封装层上制备偏光片的制备步骤中,具体包括如下步骤:采用喷墨打印或贴附的方式在所述封装层上制备偏光片;以及采用激光刻蚀的方式在所述偏光片远离所述基板的一侧的表面进行图案化处理,形成凹槽,所述凹槽与所述发光单元对应设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110295279.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择