[发明专利]一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元在审
申请号: | 202110253316.1 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN112953170A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 赵彪;蔡放;曾嵘;余占清;白羽;刘滨;胡茂良;崔康生;汤雪腾 | 申请(专利权)人: | 清华大学;清华四川能源互联网研究院 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H01L23/473;H05K7/20 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张迎新;史光伟 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 压接式 igct 水冷 大功率 单元 | ||
本发明公开了一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元,该单元包括:电源模块;IGCT全桥功率模块装设于电源模块下方;直流电容模块通过连接母排与IGCT全桥功率模块连接。通过该单元,单元采用模块化设计,水冷散热技术,满足结构紧凑、美观;电磁兼容,电路分配合理;单元整体、内部模块、单元都方便安装、维护;具有通流能力强,通态压降低、失效呈短路特性,串联可靠性高等特点,IGCT器件差异小,一定程度保证了串联均压;集成化设计;提高了散热效果,并且水冷散热器具有很好的等温性;本发明具有占地面积小、可靠性高、可控性强、技术价格等优点,具有良好前景。
技术领域
本发明属于电力电子领域,特别涉及一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元。
背景技术
功率半导体器件是电力电子成套装置的基础,直接影响其成本、效率、可靠性等。现阶段高功率硅基半导体技术包括模块封装绝缘栅双极晶体管(IGBT)、压装封装IGBT和压装封装集成栅极换向晶闸管(IGCT),其中,模块封装IGBT在中低压领域具有较多的应用,对于安装的条件限制较少。然而,模块封装器件具有较大的热阻,如何为其散热是目前需要解决的一个问题。
发明内容
针对相关技术中的上述技术问题,本发明提出一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元,能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元,该单元包括:电源模块;IGCT全桥功率模块,装设于所述电源模块下方;直流电容模块,通过连接母排与IGCT全桥功率模块连接;其中,IGCT为压装封装集成栅极换向晶闸管。
进一步的,IGCT全桥功率模块包括:功率模块框架;IGCT模块,装设于功率模块框架上;二极管模块,装设于功率模块框架上;其中,IGCT模块、二极管模块通过所述连接母排连接。
进一步的,所述IGCT模块包括:IGCT驱动板,其上设有IGCT器件;若干水冷散热器,每两个水冷散热器之间设有IGCT器件;其中,IGCT器件为压接式。
进一步的,二极管模块包括:若干所述水冷散热器,每两个水冷散热器之间设有二极管器件或电阻器件;电阻器件为压接式。
进一步的,水冷散热器外侧设有蝶形弹簧;蝶形弹簧外侧设有压串板;转动顶栓,其穿过压串板中间的螺栓孔,转动压缩蝶形弹簧,蝶形弹簧将IGCT器件、水冷散热器、二极管器件、电阻器件压紧。
进一步的,所述IGCT器件一侧设有控制板,用于控制所述IGCT器件。
进一步的,水冷散热器上连接有单元水管;单元水管一端与外部连接,一端与水冷散热器或水冷电抗连接;水冷电抗安装在所述二极管模块的所述水冷散热器上;电容,安装在二极管模块的所述水冷散热器上;单元水管包括主水管和若干细水管,细水管为主水管的分支。
进一步的,电源模块为IGCT器件供电。
进一步的,IGCT器件的压力范围为36-44kN。
进一步的,IGCT模块包括四个IGCT器件和五个水冷散热器;四个IGCT器件、五个水冷散热器分别并行设置;二极管模块包括五个二极管器件、一个电阻器件和七个水冷散热器;七个水冷散热器并行设置,前六个所述水冷散热器的每两个之间设有一个所述二极管器件,第六个和第七个水冷散热器之间设有一个所述电阻器件。
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