[实用新型]带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器

权利要求书

1.带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，包括电源VRF、至少两个电阻、晶体管MP0、MN0、电容C、开关S1、S2，其特征在于，所述电源VRF发出栅极控制信号，栅极控制信号传输至至少两个开关晶体管处，控制开关晶体管开闭，以实现整个整流电路跟随输入信号的同步控制功能。

2.根据权利要求1所述的带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，其特征在于，所述开关晶体管的栅极和漏极之间引入有补偿电压V_C，栅源连接成交叉耦合的结构。

3.根据权利要求1所述的带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，其特征在于，采用二倍压整流电路，二倍压整流电路中设有至少两个二极管，每个二极管对应一个自阈值调节模块。

4.根据权利要求3所述的带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，其特征在于，开关晶体管包括MP1、MN2，自阈值调节模块包括：

模块一：通过调整电阻R₁和MP1的参数，产生电压V_G1，用于给予晶体管MP0偏置；

模块二：通过调整电阻R₂、晶体管MN2的参数，产生与V_out成比例的固定电压V_G2。

5.根据权利要求4所述的带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，其特征在于，所述MP1、MP0尺寸相同。

6.根据权利要求4所述的带有同步整流功能的CMOS整流电路及整流器，其特征在于，固定电压V_G2趋于NMOS管的阈值电压V_thn，施加于晶体管MN0的栅极。

7.一种整流器，其特征在于，应用了权利要求1-6任意一项所述的整流电路，使用晶体管MP0作为上二极管，晶体管MN0作为下二极管；选择NMOS管作为S1，PMOS管作为S2；补偿电压V_G1和V_G2以脉冲形式输出；在满足同步驱动开关管MN1和MP2的情况下，将MN1的栅极连接到V_RF,同时将MP2的栅极以V_C驱动；将PMOS的衬底连接到高于零的电压来调整以降低V_TH，将NMOS的衬底连接到最低电压，即GND。