[实用新型]一种近红外钙钛矿发光二极管有效
| 申请号： | 202021036369.5 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN212542486U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 方国家;刘陈威;刘永杰;姚方 | 申请（专利权）人： | 武汉大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 程祥 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 钙钛矿 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的ITO衬底、 二氧化锡/氧化锌复合电子传输层、钙钛矿发光层、修饰层、空穴传输层和MoOx/Au电极；所述二氧化锡/氧化锌复合电子传输层由旋涂在ITO衬底上的二氧化锡薄膜和旋涂在二氧化锡薄膜上的氧化锌薄膜组成。
2.根据权利要求1所述的近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的器件结构为正置结构。
3.根据权利要求1或2所述的近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述二氧化锡薄膜层厚度为25nm，氧化锌薄膜厚度5nm。
4.根据权利要求1或2所述的近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述修饰层为旋涂在钙钛矿发光层上的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述MoOx/Au电极由7nm厚的MoOx氧化层和50 nm厚的Au电极组成。
6.根据权利要求1或2所述的近红外钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层为旋涂在修饰层上的聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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