[发明专利]低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷及制备方法在审
| 申请号： | 202011567454.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112552034A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吉岸;王晓慧;金镇龙 | 申请（专利权）人： | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/20 | 分类号： | C04B35/20;C04B35/622 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 李小叶 |
| 地址： | 214100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 损耗 介电常数 温度 稳定 微波 介质 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷，其特征在于：其组成表达式为aMg2SiO4-bMg2TiO4-cCaTiO3-dLi2NdO3，其中，a、b、c和d分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：50mol％≤a≤60mol％，20mol％≤b≤30mol％，10mol％≤c≤20mol％，10mol％≤d≤20mol％，a+b+c+d＝100mol％。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷的介电常数为9～11，品质因数Q×f值为95000～150000GHz，谐振频率温度系数为-2～10ppm/℃。
3.一种如权利要求1或2所述的低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)不饱和陶瓷相Li2NdO3的合成
将Li2CO3粉料和Nd2O3粉料按照化学式Li2NdO3中的对应元素的摩尔比配料，将Li2CO3和Nd2O3混合后，充分球磨，球磨后烘干、过筛，然后放入刚玉坩埚中进行焙烧，得到Li2NdO3组合物；
(2)以Mg2SiO4粉料、Mg2TiO4粉料、CaTiO3粉料、Li2NdO3粉料为原料，按照组成表达式aMg2SiO4-bMg2TiO4-cCaTiO3-dLi2NdO3中各组合物的摩尔百分比分别称量Mg2SiO4粉料、Mg2TiO4粉料、CaTiO3粉料、Li2NdO3粉料，将所称取的物料混合充分后球磨，球磨后经烘干、造粒、过筛，再将过筛后的颗粒料压制成型，最后经过烧结得到该低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷；其中，在组成表达式aMg2SiO4-bMg2TiO4-cCaTiO3-dLi2NdO3中，a、b、c和d分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：50mol％≤a≤60mol％，20mol％≤b≤30mol％，10mol％≤c≤20mol％，10mol％≤d≤20mol％，a+b+c+d＝100mol％。
4.根据权利要求3所述的低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，Mg2SiO4粉料是以MgO和SiO2为原料合成；Mg2TiO4粉料是以MgO和TiO2为原料合成，CaTiO3粉料是以CaO和TiO2为原料合成。
5.根据权利要求3所述的低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)的焙烧过程是在1000～1200℃下焙烧保温3～5h。
6.根据权利要求3所述的低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的烧结过程是在1300～1380℃下烧结3～8h。
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