[发明专利]一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器

权利要求书

1.一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器，由低频VCO和混频选频单元构成；其特征在于，

所述低频VCO由PMOS晶体管M₁、PMOS晶体管M₂、变容管C_var和差分电感L₁构成；其中，变容管C_var和差分电感L₁构成第一并联谐振网络、其谐振频率为基波频率f₀，差分电感L₁的中心抽头连接地GND，变容管C_var对称摆放、中心施加调谐电压V_t，PMOS晶体管M₁的栅极连接PMOS晶体管M₂的漏级、PMOS晶体管M₂的栅极连接PMOS晶体管M₁的漏级；第一并联谐振网络的两端分别连接于PMOS晶体管M₁、M₂的漏极；

所述混频选频单元由NMOS晶体管M₃、NMOS晶体管M₄、电容C₁、电容C₂、电容C₃、差分电感L₂、偏置电阻R₁、偏置电阻R₂构成；其中，所述电容C₃与差分电感L₂构成第二并联谐振网络、其谐振频率为3f₀，差分电感L₂中心抽头接电源VDD，第二并联谐振网络的两端分别连接于NMOS晶体管M₃与M₄的漏极；NMOS晶体管M₃的源极与PMOS晶体管M₁的源极相连，NMOS晶体管M₄的源极与PMOS晶体管M₂的源极相连；电容C₁一端连接NMOS晶体管M₃的栅极、另一端连接PMOS晶体管M₁的漏极，电容C₂一端连接NMOS晶体管M₄的栅极、另一端连接于PMOS晶体管M₂的漏极；NMOS晶体管M₃与M₄的栅极分别通过偏置电阻R₁、R₂施加偏置电压。