[发明专利]一种晶圆加工用自动卸料研磨机在审
申请号: | 202011337114.7 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112497073A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李小香 | 申请(专利权)人: | 广州赢帝工业设计有限公司 |
主分类号: | B24B55/02 | 分类号: | B24B55/02;B24B37/34 |
代理公司: | 广东省畅欣知识产权代理事务所(普通合伙) 44631 | 代理人: | 齐军彩 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆加 工用 自动 卸料 研磨机 | ||
本发明公开了一种晶圆加工用自动卸料研磨机,其结构包括研磨机、位移台、滑道、设备箱、控制器、载台、卸料台,研磨机与位移台内部法兰连接,滑道与设备箱右壁焊接连接,设备箱与控制器末端铰接连接,卸料台固定在研磨机右侧与其间隙配合,载台上表面与设备箱底部螺栓固定,载台右侧与卸料台左侧焊接连接,研磨机包括上磨盖、晶圆卡台、辅助下盘、传动机,位移台后壁与滑道滑动配合,本发明通过传动机在对上磨盖与辅助下盘的带动下,通过旋转,将内环表面的嵌固的散热槽开启,由散热槽内的挡板实现展开,使其内部加工时的热量能够通过导流管倒出,有效的解决了内部磨盘在长时间加工发热现象的出现,避免了晶圆预热加快氧化问题。
技术领域
本发明涉及晶圆涂膜领域,具体是一种晶圆加工用自动卸料研磨机。
背景技术
晶圆是制造半导体器件的基础性原材料,通过极高纯度的半导体经过切片、研磨等工序制备成为晶圆,晶圆在经过一系列半导体制造加工形成极小的电路结构后通过切割、封装、测试形成芯片,最后广泛投入到各大电子设备当中;
但是现有技术中存在以下不足:当前一种晶圆加工用自动卸料研磨机在加工的过程中,由于晶圆的材料的主要是二氧化硅组成,在经过长期加工使用的研磨头会产生高热量,从而对晶圆表面研磨时,晶圆受到高温影响,导致晶圆表面氧化速度加快,从而研磨过程中氧化的晶圆表面出现高低不均,打磨后晶圆表面也就造成晶圆的线性缺陷,表面成斜线状,进而不均匀的表面,则会降低晶圆的使用性能和寿命。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明目的是提供一种晶圆加工用自动卸料研磨机,以解决现有技术当前一种晶圆加工用自动卸料研磨机在加工的过程中,由于晶圆的材料的主要是二氧化硅组成,在经过长期加工使用的研磨头会产生高热量,从而对晶圆表面研磨时,晶圆受到高温影响,导致晶圆表面氧化速度加快,从而研磨过程中氧化的晶圆表面出现高低不均,打磨后晶圆表面也就造成晶圆的线性缺陷,表面成斜线状,进而不均匀的表面,则会降低晶圆的使用性能和寿命问题。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种晶圆加工用自动卸料研磨机,其结构包括研磨机、位移台、滑道、设备箱、控制器、载台、卸料台,所述研磨机与位移台内部法兰连接,所述滑道与设备箱右壁焊接连接,所述设备箱与控制器末端铰接连接,所述卸料台固定在研磨机右侧与其间隙配合,所述载台上表面与设备箱底部螺栓固定,所述载台右侧与卸料台左侧焊接连接,所述研磨机包括上磨盖、晶圆卡台、辅助下盘、传动机,所述位移台后壁与滑道滑动配合,所述上磨盖与晶圆卡台嵌套配合,所述晶圆卡台下端与辅助下盘活动配合,所述辅助下盘内部与传动机螺纹连接。
对本发明进一步地改进,所述上磨盖包括散热槽、磨盘、保护壳、吸盘、内环,所述散热槽与内环表面嵌固连接,所述内环与保护壳内壁嵌固连接,所述保护壳与磨盘整体间隙配合,所述磨盘与内环表面间隙配合,所述散热槽两侧与吸盘间隙配合,所述散热槽设有四个,呈上下左右分布在内环表面与其嵌固连接,整体呈椭圆形状。
对本发明进一步地改进,所述散热槽包括导流管、活动腔、限制块、挡板、拉簧,所述导流管与挡板表面活动配合,所述挡板底部与拉簧焊接连接,所述活动腔上表面与限制块铰接连接,所述挡板与限制块表面卡合配合,所述导流管两侧与活动腔间隙配合,所述挡板设有两个,呈相对摆放,分布在活动腔内部底端与其焊接固定。
对本发明进一步地改进,所述导流管包括换向阀、入风口、分流条、空腔、摇摆栓,所述换向阀与入风口内侧活动配合,所述摇摆栓表面与分流条焊接焊接连接,所述分流条与空腔内部活动配合,所述空腔底端与摇摆栓活动卡合,所述换向阀与分流条表面间隙配合,所述分流条设有三条,正常呈波浪条形状,分布在摇摆栓表面配合摆动。
对本发明进一步地改进,所述向阀包括卡块、导流板、限位杆、固定板,所述卡块内壁与固定板卡合连接,所述固定板表面与导流板铰接连接,所述导流板上表面与限位杆间隙配合,所述限位杆与固定板表面铰接连接,所述导流板设有六块,整体呈不等距三角形,分布在固定板表面与其铰接连接。
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