[发明专利]一种降低反射率的单晶太阳能电池制备方法

说明书

本发明公开一种降低反射率的单晶太阳能电池制备方法，包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面沉积钝化膜、正面沉积减反膜、背面激光、丝网印刷和烧结步骤，其特征在于：在所述制绒步骤之前增加正面激光打孔步骤，所述正面激光打孔步骤利用激光在硅片正面打多个凹孔。与常规单晶PERC太阳能电池的生产工艺相比，本发明在制绒之前在硅片正面打孔的方法，在硅片表面形成的孔洞具有陷光作用，进一步降低硅片表面反射率，增强吸光效果，最终提高单晶硅PERC太阳能电池的短路电流和光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种降低反射率的单晶太阳能电池制备方法。

背景技术

单晶PERC太阳能电池的工艺简单、成本较低，是目前市场上最流行的高效太阳能电池之一。目前单晶PERC电池的制造流程主要是：制绒——扩散——SE正面激光——刻蚀抛光——退火——背面沉积钝化膜——正面沉积减反膜——激光开孔——背电极印刷——背电场印刷——正电极印刷——烧结。经过制绒后的硅片反射率可以达11%-15%，为了降低硅片的反射率，提高电池的吸光效果，主要有两种途径，在硅片表面镀上多层膜和形成更好的陷光结构。从制绒方面考虑时，为了形成更加均匀密集的金字塔绒面，以达到降低硅片反射率的目的，只能进一步优化制绒添加剂。但是目前应用于生产中制绒添加剂的性能改善比较缓慢，大大限制了在制绒方向单晶PERC太阳能电池提效的进程。所以如何不更换制绒添加剂的同时，又能进一步降低制绒之后硅片的反射率，提升电池的吸光效果，进而提升电池的转换效率，成为目前单晶PERC太阳能电池在制绒方面提效的难题之一。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：传统方法制造的太阳能电池硅片反射率高的问题。

本发明解决该技术问题采用的技术方案是：

一种降低反射率的单晶太阳能电池制备方法，包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面沉积钝化膜、正面沉积减反膜、背面激光、丝网印刷和烧结步骤，其特征在于：在所述制绒步骤之前增加正面激光打孔步骤，所述正面激光打孔步骤利用激光在硅片正面打多个凹孔。

作为优选，所述正面激光打孔步骤采用皮秒激光，532纳米波长，雕刻速度为4500至5000毫米每秒，激光器功率10至15瓦，重复频率40至50千赫。

作为优选，所述凹孔直径为30至120微米，所述凹孔间距为300至700微米，所述凹孔深度为4至8微米，所述凹孔数量为30000至300000个。

作为优选，所述凹孔形状为圆形。

作为优选，所述凹孔形状为方形。

本发明的有益效果是：与常规单晶PERC太阳能电池的生产工艺相比，本发明在制绒之前在硅片正面打孔的方法，在硅片表面形成的孔洞具有陷光作用。在制绒之后除了在未打孔区域会形成绒面结构，在孔洞区域也会形成 “金字塔”结构，从而改善电池表面的陷光效果，结合在电池正面镀上的SiNx层的减反射效果，进一步降低硅片表面反射率，增强吸光效果，最终提高单晶硅PERC太阳能电池的短路电流和光电转换效率。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

一种降低反射率的单晶太阳能电池制备方法，包括如下步骤：