[其他]基于多孔硅传感器的系统有效
申请号: | 201990000703.0 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN214041167U | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 张毅;A·J·齐尔基;H·F·琼斯;A·斯科菲尔德 | 申请(专利权)人: | 洛克利光子有限公司 |
主分类号: | G01N21/77 | 分类号: | G01N21/77 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李文斐;陈岚 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 多孔 传感器 系统 | ||
1.一种基于多孔硅传感器的系统,其特征在于包括:
衬底,以及
在所述衬底上的波导,所述波导具有多孔部分。
2.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述波导具有无孔部分。
3.根据前述权利要求中任一项所述的基于多孔硅传感器的系统,包括光环谐振器,所述光环谐振器包括所述波导。
4.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,包括具有第一臂和第二臂的马赫-曾德尔干涉仪,所述第一臂包括所述波导。
5.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述波导的所述多孔部分的孔隙率为至少15%。
6.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述波导的所述多孔部分具有一个或多个曲折。
7.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中:
所述衬底是硅衬底,
所述波导由硅构成,以及
所述波导的所述多孔部分由多孔硅构成,
所述基于多孔硅传感器的系统还包括直接在所述衬底上的二氧化硅层,所述波导的一部分直接在所述二氧化硅层上。
8.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述衬底是硅衬底,所述基于多孔硅传感器的系统还包括在所述衬底的一部分上的多孔硅层,所述波导的一部分在所述多孔硅层上,所述多孔硅层具有比所述波导的所述多孔部分更低的折射率。
9.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述波导的一部分由间隙与所述波导下方的任何层分离。
10.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,包括光子集成电路,
所述光子集成电路包括:
所述衬底,
所述波导,以及
选自由激光源、光电检测器、功率分配器、组合器和波长滤波器构成的组的元件。
11.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,其中所述波导是第一波导,所述基于多孔硅传感器的系统包括:
具有多孔部分的第二波导;
样品池,所述样品池包含所述第一波导的所述多孔部分,所述样品池被配置成将所述第一波导的所述多孔部分暴露于分析物;以及
参比池,所述参比池包含所述第二波导的所述多孔部分,所述参比池被配置成避免所述第二波导的所述多孔部分暴露于所述分析物。
12.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,还包括色谱柱,所述色谱柱被配置成将分析物传送到所述多孔部分。
13.根据权利要求1所述的基于多孔硅传感器的系统,还包括在所述多孔部分的多个孔的表面上的材料,所述材料具有对于感兴趣的化学制品的吸收系数,其不同于对于感兴趣的所述化学制品的所述孔的所述表面的吸收系数。
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