[其他]RFID标签

说明书

一种RFID标签，具备：RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；第一电极，其与RFIC芯片的第一连接端子电连接；电容元件，其与第一电极及RFIC芯片串联连接；短路部，其在第一电极的电长度的中间位置将第一电极与地连接，其中，第一电极的电长度是RFIC芯片的通信频率的波长的二分之一，RFIC芯片的第一连接端子在与第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与第一电极连接，RFIC芯片的第二连接端子连接于地。

技术领域

本实用新型涉及一种用于利用近距离无线通信来以非接触方式进行物品的信息管理等的无线通信设备即RFID(Radio frequency Identification：射频识别)标签。

背景技术

以往，在进行物品的信息管理的系统中，在安装于物品的RFID标签与用于读取RFID标签的标签信息的读取器装置之间，利用电磁场来以非接触方式进行通信，从而管理与物品有关的信息。

在RFID标签中，在决定天线的共振频率时，例如，在如微带天线那样仅为一个共振模式时，由于共振频率的频带窄，因此用途受限定。另外，在将RFID标签例如安装于金属面的情况下，共振频率的频带变得更窄。

因此，为了扩展共振频率的频带，使用将两个共振组合的方法。该方法是通过将不同模式的共振组合来实施的。例如，如果微带天线为偶极的模式，则使其组合单极的模式。然而，在单极的模式中，在天线上产生电流的方向变化的零点，通信方向的指向性变弱。例如，在专利文献1中记载了安装于金属面的双共振的天线。

图13示出专利文献1中的将通信频率的波长λ的半波长λ/2的平面天线的中间点短路的双共振天线的VSWR(Voltage Standing Wave Ratio：电压驻波比)特性。图13示出专利文献1中的天线在3400MHz和4600MHz附近这两个位置共振。图14示出专利文献1中的在低频率侧和高频率侧各自的共振点处的电场面的指向性。示出以低频率侧和高频率侧各自的峰值最大值为基准被标准化的指向性。

在低频率侧的特性线a中，角度θ的指向性的峰值处于角度50°附近，在高频率侧的特性线b中，角度θ的指向性的峰值处于角度0°附近。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/072411号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

如图14所示，在以往的双共振天线中，高频率侧的指向性的峰值角度与低频率侧的指向性的峰值角度之间有偏差。因而，当根据高频率侧的指向性将RFID标签配置于物品时，低频率侧的指向性降低。

因而，本实用新型的目的在于解决上述问题，提供一种具有双共振天线的特性并且提高了指向性的RFID标签。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方式，是一种RFID标签，具备：RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；第一电极，其与所述RFIC芯片的所述第一连接端子电连接；电容元件，其串联连接于所述第一电极与所述RFIC芯片之间；以及短路部，其在所述第一电极的电长度的中间位置将所述第一电极与地连接，其中，所述第一电极的电长度是所述RFIC芯片的输送频率的波长的二分之一，所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与所述第一电极连接，所述RFIC芯片的所述第二连接端子连接于所述地。

实用新型的效果

根据本实用新型所涉及的RFID标签，能够提供一种具有双共振天线的特性并且提高了指向性的RFID标签。

附图说明

图1A是示出实施方式1的RFID标签的示意立体图。