[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201980069968.0 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN112913045A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 洪钟昊;金相佑;辛在敏;朴埈亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;程月 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
柔性基底;
像素电路层,布置在所述柔性基底上,并且包括薄膜晶体管和延伸到所述柔性基底的通孔;
第一有机层,布置在所述像素电路层上并且通过所述通孔与所述柔性基底接触;
无机层,布置在所述第一有机层上以覆盖所述第一有机层的上表面;
像素电极,布置在所述无机层上;以及
封装层,布置在所述像素电极上,并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有机层包括位于所述薄膜晶体管上并暴露所述像素电路层的上表面的至少一部分的第一开口,并且
所述无机层覆盖所述第一开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述无机层与所述像素电路层的被所述第一开口暴露的所述上表面接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述像素电路层的所述上表面是无机层。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述无机层包括位于所述第一开口中的第二开口,并且
所述像素电极通过所述第二开口电连接到所述薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述像素电路层还包括覆盖所述薄膜晶体管并包括无机材料的无机保护层,并且
所述第二开口延伸以穿透所述无机保护层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述无机层延伸以覆盖所述第一有机层的侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述通孔和所述第一有机层填充有相同的有机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有机层通过所述通孔与所述柔性基底直接接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括第二有机层,所述第二有机层布置在所述无机层上,并且通过覆盖所述像素电极的边缘并暴露所述像素电极的中心部分来限定发射区域。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述柔性基底包括穿透所述柔性基底的贯通图案。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装层延伸以覆盖所述第一有机层的外表面。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述封装层的所述第一无机封装层与所述第一有机层的所述外表面表面接触。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层的至少一部分叠置的栅电极以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极,并且
所述第一有机层包括暴露所述像素电路层的上表面的包括所述源电极和所述漏电极中的至少一个的至少一部分的第一开口。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述无机层与所述像素电路层的通过所述第一开口暴露的所述上表面表面接触。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述无机层包括暴露所述源电极和所述漏电极中的至少一个的第二开口。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述像素电极通过所述第二开口与所述源电极和所述漏电极中的至少一个电接触。
18.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述柔性基底包括有机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择