[实用新型]一种交叉耦合滤波器有效
| 申请号： | 201921412784.3 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN210040477U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 卜伟;龚红伟 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 容性耦合 调谐孔 滤波器 感性耦合孔 交叉耦合 介质谐振 电感耦合 电容耦合 电场 极性相反 加工成型 所在平面 同一表面 槽设置 能力强 生产性 十字形 滤波 申请 投影 贯穿 配合 | ||
1.一种交叉耦合滤波器，其特征在于，包括：
介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，所述调谐孔、所述容性耦合槽和所述感性耦合孔均设置于所述介质谐振主体的同一表面上；
所述调谐孔，用于调整所述交叉耦合滤波器的频率；
所述容性耦合槽设置在相邻的两个所述调谐孔之间，所述容性耦合槽在所述交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合,与电感耦合的极性相反，产生带外零点增强抑制；
所述感性耦合孔设置在相邻的两个所述调谐孔之间，所述感性耦合孔贯穿所述介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合所述电容耦合，形成带外零点。
2.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，还包括：金属屏蔽层；
所述金属屏蔽层设置于所述调谐孔的内表面或侧壁上。
3.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述容性耦合槽为盲孔槽。
4.根据权利要求3所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，所述容性耦合槽包括水平臂和垂直臂，所述水平臂和所述垂直臂垂直相交；
所述水平臂的延伸方向与位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的中心连接线平行。
5.根据权利要求4所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述水平臂的长度大于或者等于位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的中心连接线长度的1/3；
所述垂直臂的一端距所述水平臂的长度大于或者等于1mm，所述垂直臂的另一端与所述介质谐振主体的边缘交叠。
6.根据权利要求3所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述容性耦合槽的深度为位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的深度的1.1到1.95倍。
7.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
每一个所述容性耦合槽产生两个零点。
8.根据权利要求2所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述金属屏蔽层还设置于所述容性耦合槽的内壁上。
9.根据权利要求2所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述金属屏蔽层还设置于所述感性耦合孔的内壁上。
10.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述感性耦合孔在所述交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈圆形、椭圆形、矩形、T型、多边形中的至少一种；所述感性耦合孔的边缘可以与所述介质谐振主体的边缘交叠。
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