[实用新型]双程多阵列加热装置有效

专利信息
申请号: 201921006042.0 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN210425777U 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 刘留;罗爱斌;陈章水;周铁军;宾启雄;杨伟;蔡新志 申请(专利权)人: 广东先导先进材料股份有限公司
主分类号: F26B5/04 分类号: F26B5/04;F26B21/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 纪志超
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双程 阵列 加热 装置
【说明书】:

实用新型提供了一种双程多阵列加热装置,包括:热风输送主管;所述热风输送主管的底面封闭;在所述热风输送主管底部侧壁发散设置的若干个热风输送支管;所述热风输送支管与所述热风输送主管相通;所述热风输送支管底面封闭,侧壁设有若干个孔洞,作为双温段送热风的出口;孔洞上方的管体内部形成圆球面口;放置在每个所述热风输送支管内的浮球;所述浮球能够在放置该浮球的热风输送支管中上下移动,且所述浮球的弧面与所述圆球面口贴合。与现有技术相比,本实用新型提供的双程多阵列加热装置采用特定结构,能够使高温气体自下而上均匀送出,加热效率高,有助于实现在真空环境下的脱水炉中实现充分、均匀脱水,提高脱水效率,避免异物污染。

技术领域

本实用新型涉及氧化硼合成技术领域,更具体地说,是涉及一种双程多阵列加热装置。

背景技术

近年来,砷化镓半导体在发光器件和高频器件需求旺盛,业内公司除积极扩产外,晶体良品率的提升也将极大推动产能扩大满足市场需求。目前,国内生产砷化镓的晶体生长良品率一般在70%以下,与国外相关技术的晶体生长良品率达80%以上存在明显差距;因此,开发新技术以提高砷化镓的晶体生长良品率,进而提高半导体晶体电性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

作为砷化镓单晶生长的重要原料,高纯氧化硼对提高砷化镓的晶体生长良品率具有重要作用。但是,现有技术中高纯氧化硼的制备方法中原料硼酸的脱水工艺非常简陋,具体为:将水解高纯硼酸混合液依次经过滤、100℃蒸发干燥,得到初级脱水高纯硼酸,再用40cm×30cm的平底不锈钢托盘装盘,依次经110℃~160℃烘烤箱烘烤8h~14h、静置冷却至常温,得到干燥的高纯硼酸包装捆扎;该工艺虽然设备成本低(仅用烘烤箱)、操作简单,但是由于平底不锈钢托盘放置的初级脱水高纯硼酸不便翻动,仅靠长时间烘烤脱水,加热效率非常低,脱水效果差,同时结块部分或料块内部脱水不充分,而料块外部或疏松部位的原料则已比较干燥,脱水不充分且不均匀;此外,由于烘烤箱未能形成真空环境,极易导致在微粉尘环境下铝、铁、钙等杂质超标,造成异物污染隐患。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种双程多阵列加热装置,加热效率高,有助于实现在真空环境下的脱水炉中实现充分、均匀脱水,提高脱水效率,避免异物污染。

本实用新型提供了一种双程多阵列加热装置,包括:

热风输送主管;所述热风输送主管的底面封闭;

在所述热风输送主管底部侧壁发散设置的若干个热风输送支管;所述热风输送支管与所述热风输送主管相通;

所述热风输送支管底面封闭,侧壁设有若干个孔洞,作为双温段送热风的出口;孔洞上方的管体内部形成圆球面口;

放置在每个所述热风输送支管内的浮球;所述浮球能够在放置该浮球的热风输送支管中上下移动,且所述浮球的弧面与所述圆球面口贴合。

优选的,所述热风输送支管的个数为2个~10个。

优选的,所述孔洞的出风方向垂直向下。

优选的,所述若干个孔洞的排列方式为:

在平行于所述热风输送支管的横截面的若干个同心圆上均匀排列。

优选的,所述同心圆的个数为2个~6个。

优选的,每个所述同心圆上均匀排列的孔洞个数为4个~16个。

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