[发明专利]一种超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法

权利要求书

1.一种超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，包括步骤：

(1)以甲烷为碳源气体，于温度800-1200℃下，采用常压化学气相沉积法在石英玻璃表面沉积生长石墨烯，制备得到石英玻璃石墨烯；

(2)以铂片为溅射靶，利用真空磁控溅射工艺，在石英玻璃石墨烯的表面溅射铂纳米粒子，制备得到石墨烯玻璃复合铂纳米粒子透明电极。

2.根据权利要求1所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，步骤(1)中，常压化学气相沉积法所用载气为氩气，所用还原性气体为氢气；氩气、氢气以及碳源气体的体积比为28-32:3-8:1；氩气、氢气以及碳源气体组成混合气体，以混合气体的形式通入体系中，混合气体的流量100-500sccm。

3.根据权利要求2所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，所述氩气、氢气以及碳源气体的体积比为30:5:1；混合气体的流量200-400sccm。

4.根据权利要求1所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述石英玻璃在使用前分别经过丙酮，无水乙醇，去离子水超声清洗。

5.根据权利要求1所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述沉积生长时间为2-4h。

6.根据权利要求5所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，沉积温度为1000℃，沉积生长时间为3h。

7.根据权利要求1所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，步骤(1)中，石英玻璃表面沉积生长2-3层石墨烯。

8.根据权利要求1所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，步骤(2)中，真空磁控溅射工艺中，溅射压力为0.2-0.8Pa、溅射功率为100-300W、溅射时间为10s-2min，溅射温度为室温。

9.根据权利要求8所述超低浓度双氧水传感器透明电极的简便制备方法，其特征在于，所述溅射功率为200W、溅射时间为1min。