[发明专利]n倍驱动两输入与非门标准单元及其版图有效

专利信息
申请号: 201911133036.6 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN110866372B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 虞蓓蕾;高唯欢;胡晓明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 张彦敏
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 驱动 输入 与非门 标准 单元 及其 版图
【权利要求书】:

1.一种n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,包括:

两输入与门,包括第一PMOS晶体管PMOS1与第一NMOS晶体管NMOS1,且所述两输入与门用于接收一第一输入信号A1和一第二输入信号A2,将所述第一输入信号A1和所述第二输入信号A2作与运算后输出中间输出信号Sinter;以及

n倍驱动反相器,包括第二PMOS晶体管单元PMOS2和第二NMOS晶体管单元NMOS2,第二PMOS晶体管单元PMOS2包括n个PMOS晶体管并联连接,第二NMOS晶体管单元NMOS2包括n个NMOS晶体管并联连接,且所述n倍驱动反相器接收所述中间输出信号Sinter,用于将所述中间输出信号Sinter作取反运算后输出最终输出信号Sf,其中,n为反相器的驱动倍数,且n为大于等于2的偶数。

2.根据权利要求1所述的n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,第一PMOS晶体管PMOS1的源极接地VSS,第一PMOS晶体管PMOS1的栅极与第一NMOS晶体管NMOS1的栅极相连接组成所述两输入与门的第一输入端,用于接收第一输入信号A1,第一PMOS晶体管PMOS1的漏极与第一NMOS晶体管NMOS1的漏极相连接组成所述两输入与门的输出端,用于输出中间输出信号Sinter,第一NMOS晶体管NMOS1的源极构成所述两输入与门的第二输入端,用于接收第二输入信号A2。

3.根据权利要求2所述的n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,当所述第一输入信号A1为0,所述第二输入信号A2为0时,第一PMOS晶体管PMOS1导通,第一NMOS晶体管NMOS1关闭,中间输出信号Sinter等于地电压VSS,等于0;当所述第一输入信号A1为0,所述第二输入信号A2为1时,第一PMOS晶体管PMOS1导通,第一NMOS晶体管NMOS1关闭,中间输出信号Sinter等于地电压VSS,等于0;当所述第一输入信号A1为1,所述第二输入信号A2为0时,第一PMOS晶体管PMOS1关闭,第一NMOS晶体管NMOS1导通,中间输出信号Sinter等于所述第二输入信号A2,等于0;当所述第一输入信号A1为1,所述第二输入信号A2为1时,第一PMOS晶体管PMOS1关闭,第一NMOS晶体管NMOS1导通,中间输出信号Sinter等于所述第二输入信号A2,等于1。

4.根据权利要求1所述的n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,第二PMOS晶体管单元PMOS2的源极连接电压端VDD,第二PMOS晶体管单元PMOS2的漏极连接第二NMOS晶体管单元NMOS2的漏极并构成n倍驱动两输入与非门标准单元的输出端X,用于输出最终输出信号Sf,第二NMOS晶体管单元NMOS2的源极接地VSS,第二NMOS晶体管单元NMOS2的栅极连接第二PMOS晶体管单元PMOS2的栅极并构成n倍驱动反相器的输入端,用于接收所述两输入与门输出的中间输出信号Sinter。

5.根据权利要求4所述的n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,当所述中间输出信号Sinter为0时,第二PMOS晶体管单元PMOS2导通,第二NMOS晶体管单元NMOS2关闭,最终输出信号Sf等于电压端VDD,等于1;当所述中间输出信号Sinter为1时,第二PMOS晶体管单元PMOS2关闭,第二NMOS晶体管单元NMOS2导通,中间输出信号Sinter等于地电压VSS,等于0。

6.根据权利要求1所述的n倍驱动两输入与非门标准单元的电路,其特征在于,n倍驱动两输入与非门标准单元使用的晶体管的个数m=2+2n,其中n为两输入与非门标准单元的驱动倍数,为大于等于2的偶数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911133036.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top