[发明专利]一种铍及其合金表面微弧氧化处理方法及装置在审
申请号: | 201910362926.8 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN109943875A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 王长青;薛风举;王长峰;钟声;侯建;王靖;齐岩 | 申请(专利权)人: | 北京航天控制仪器研究所 |
主分类号: | C25D11/34 | 分类号: | C25D11/34 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 高志瑞 |
地址: | 100854 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体电解氧化 微弧氧化处理 电源 合金表面 电解液 铍合金 微弧氧化陶瓷膜 阴极 硅酸盐电解液 无机盐 蒸馏水清洗 阳极 表面陶瓷 均匀致密 氧化膜层 石墨相 烘干 去除 通电 取出 | ||
1.一种铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
将等离子体电解氧化电源的阳极与纯铍或铍合金工件相连接,将等离子体电解氧化电源的阴极与石墨相连接,控制电解液温度,电解液采用硅酸盐电解液,控制等离子体电解氧化电源的电压,通电时间为10~30min,取出,用蒸馏水清洗去除无机盐,烘干,即使得纯铍或铍合金的表面获得微弧氧化陶瓷膜层。
2.根据权利要求1所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:所述电解液包括硅酸钠、强碱、硼酸、过氧化氢和去离子水。
3.根据权利要求1所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:硅酸钠为3g-10g,强碱为0.1g-1g,硼酸为1~3g,过氧化氢为2~10mL,去离子水为1000mL。
4.根据权利要求1所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:所述电解液的温度为20℃-40℃。
5.根据权利要求2所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:所述的强碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
6.根据权利要求1所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:等离子体电解氧化电源的电压控制在400-500V,纯铍工件或铍合金工件的电流密度在20-50mA/cm2,微弧氧化处理过程中,同时进行电磁搅拌,搅拌速度为200-400rpm。
7.根据权利要求6所述的铍及其合金表面微弧氧化处理方法,其特征在于:通电时间控制在15-30分钟。
8.一种铍及其合金表面微弧氧化处理装置,其特征在于包括:等离子体电解氧化电源、搅拌器、塑料槽体、石墨和纯铍工件或铍合金工件;其中,
塑料槽体中盛放有电解溶液,搅拌器、石墨和纯铍或铍合金工件设置于塑料槽体中,石墨与等离子体电解氧化电源的阴极相连接,纯铍工件或铍合金工件与等离子体电解氧化电源的阳极相连接。
9.根据权利要求8所述的铍及其合金表面微弧氧化处理装置,其特征在于:所述电解液包括硅酸钠、强碱、硼酸、过氧化氢和去离子水;其中,硅酸钠为3g-10g,强碱为0.1g-1g,硼酸为1~3g,过氧化氢为2~10mL,去离子水为1000mL。
10.根据权利要求8所述的铍及其合金表面微弧氧化处理装置,其特征在于:电解液采用硅酸盐电解液,等离子体电解氧化电源的电压400-500V,通电时间为10~30min,电解液的温度为20℃-40℃,纯铍工件或铍合金工件的电流密度在20-50mA/cm2,搅拌器的搅拌速度为200-400rpm。
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