[发明专利]一种电波暗室提高暗室性能的新型结构

说明书

本发明公开了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座；透波层的一侧面与屏蔽层连接，透波层的另一侧设置吸波角锥底座，吸波角锥底座上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体，吸波角锥底座与所述透波层之间设置有铁氧体层，吸波角锥底座不与透波层相接触，铁氧体层与屏蔽层之间设置有间隙，所述间隙的距离为8‑18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。此种结构可帮助提高吸波材料垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。

技术领域

本发明涉及电波暗室改良技术领域，具体为一种电波暗室提高暗室性能的新型结构。

背景技术

电波暗室，是主要用于模拟开阔场，同时用于辐射无线电骚扰(EMI)和辐射敏感度(EMS)测量的密闭屏蔽室。电波暗室的尺寸和射频吸波材料的选用主要由受试设备(EUT)的外行尺寸和测试要求确定，分1m法、3m法或10m法；电波暗室主要组成结构主要为屏蔽室、和吸波材料。屏蔽室由屏蔽壳体、屏蔽门、通风波导窗及各类电源滤波器等组成。根据用户要求，屏蔽壳体可采用焊接式或拼装式结构均可。吸波材料由，工作频率范围在30MHz～1000MHz的单层铁氧体片，以及锥形含碳吸波材料构成，锥形含碳吸波材料是由聚氨脂泡沫塑料或发泡聚苯乙烯、发泡聚丙烯在碳胶溶液中渗透而成，具有较好的阻燃特性。

目前市场1米法，3米法，5米法，10米法电波暗室或微波暗室内吸波材料铁氧体瓦均为暗室壳体内屏蔽层上直接铺设铁氧体瓦再铺设吸波泡沫的一种结构，铁氧体瓦与屏蔽层直接接触，这种结构已经沿用几十年之久，这种结构建成的暗室在低频30MHZ-1GHZ略差，低频的垂直入射最大反射损耗均比较小。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，解决了现有电波暗室NSA误差较大的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座；所述透波层的一侧面与所述屏蔽层连接，所述透波层的另一侧设置所述吸波角锥底座，所述吸波角锥底座上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体，所述吸波角锥底座与所述透波层之间设置有铁氧体层，所述吸波角锥底座不与所述透波层相接触，所述铁氧体层与所述屏蔽层之间设置有间隙，所述间隙的距离为8-18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。

作为本发明的进一步优选技术方案，所述透波层的侧面通过胶水与所述屏蔽层粘接；或者，通过螺钉穿过透波层与屏蔽层，所述螺钉与屏蔽层后的木板固定，所述木板固定在主屏蔽壳体上。

作为本发明的进一步优选技术方案，所述透波层的厚度为8-18mm。

(三)有益效果

本发明提供了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，具备以下有益效果：该结构包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座，吸波角锥底座与透波层之间设置铁氧体层，铁氧体层设置在吸波角锥底座远离吸波的一侧面与透波层和铁氧体层之间成一体式结构，此种结构可帮助提高吸波材料(吸波角锥+铁氧体瓦)垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA(归一化场地衰减)误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。例如，未加装透波材料的暗室在30MHz至100MHz垂直入射最大反射率大于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率大于-20dB，加装透波层后30MHz至100MHz垂直入射最大反射率小于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率小于-20dB，透过测试在30MHz至40GHz频率范围内垂直入射最大反射率均优于未加装透波层的暗室。

附图说明