[发明专利]高频放大电路以及半导体装置

说明书

高频放大电路具备：源极接地的第1晶体管，将高频输入信号放大；栅极接地的第2晶体管，将由第1晶体管放大后的信号进一步放大而生成输出信号；第1电感器，连接在第1晶体管源极与第1基准电位节点之间；第2电感器，连接在第2晶体管漏极与第2基准电位之间；第1切换器，对是否在高频输入信号被输入的节点和连接第1电阻的输入信号路径上的节点之间的第3电感器上并联连接第1衰减器进行切换；第2切换器对是否在输入信号路径与第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换；第3切换器，从并联连接第2电感器的多个第2电阻中选择至少一个；及第4切换器，从并联连接在与第2晶体管漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器中选择至少一个。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2018－124621号(申请日：2018年6月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及高频放大电路以及半导体装置。

背景技术

近年来，进行了将高频低噪声放大器(LNA：Low Noise Amplifier)从SiGe双极工艺(以下为SiGe工艺)替换为SOI(Silicon On Insulator)CMOS工艺(以下为SOI工艺)的研究。SOI工艺相比于SiGe工艺更加低成本，而且在SOI工艺中形成的MOS晶体管的寄生电容较小，因此高频信号的电力损失变小。由此，如果使用SOI工艺，则不会导致电特性恶化，能够在同一SOI基板上形成高频开关与高频低噪声放大器，能够实现单芯片化。

LNA大多被要求增益可变功能。在无线通信标准下，有多个增益模式的规格被规定的情况。更具体而言，有按照各增益模式的每一个增益模式而确定了反射特性S11、S22、噪声指数NF、IIP3(Input 3^rd-order Intercept Point，输入3阶截获点)的允许范围的情况。越是增益小的增益模式，越不容易将IIP3限制在允许范围内。另外，作为各增益模式间的通过相位偏差(transmission phase discontinuity)，例如有被要求20deg的情况，但不易满足该要求。

发明内容

实施方式提供能够在多个增益模式下获得希望的性能的高频放大电路以及半导体装置。

实施方式的高频放大电路具备：

源极接地的第1晶体管，对高频输入信号进行放大；

栅极接地的第2晶体管，对由所述第1晶体管放大后的信号进行进一步放大而生成输出信号；

第1电感器，连接在所述第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间；

第2电感器，连接在所述第2晶体管的漏极与第2基准电位之间；

第1切换器，对是否在所述高频输入信号被输入的节点和从所述节点至所述第1晶体管的栅极的输入信号路径上连接第1衰减器进行切换；

第2切换器，对是否在所述输入信号路径与所述第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换；

第3切换器，从并联连接于所述第2电感器的多个第2电阻之中选择至少一个；以及

第4切换器，从并联连接在与所述第2晶体管的漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器之中选择至少一个第1电容器。

附图说明

图1是表示内置第1实施方式的LNA1的无线装置2的概略构成的框图。

图2是表示第1实施方式的LNA1的内部构成的电路图。

图3是表示图2的偏置电压与输入到第1～第10晶体管开关的栅极的栅极信号的电压值的图。