[发明专利]显示装置

说明书

本发明的显示装置(2)中，第一氢吸附膜(29)与边缘罩接触并设置于边缘罩(23)的上层，在相邻的发光元件中，第一氢吸附膜(29)与晶体管(Tr)重叠，且隔着边缘罩(23)与相邻的发光元件的第一电极(22)重叠，并以横跨相邻的发光元件的方式设置。

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

在显示装置中，当从利用CVD法形成的层等的氢易脱离的层脱离了的氢进入TFT层中的晶体管等时，在晶体管中产生Vth偏移等特性偏移。由此，引起以灰度显示的异常为首的各种显示不良。为了防止这样的问题，开发了设置氢吸附膜的技术。

专利文献1中记载了一种有机半导体器件，其是至少依次层叠基板、第一电极、有机功能体、第二电极而成的有机半导体器件，其特征在于，在第二电极上设置有吸附氢或氢离子，且不释放已吸附的氢或氢离子的氢吸附层。

专利文献2中记载了一种显示装置，其具备形成沟道的氧化物半导体层、具有绝缘性或导电性的第一层、以及含有氢吸附剂并且设置在氧化物半导体层与第一层之间的第二层。

专利文献3中记载了一种有机电致发光元件，其特征在于，包含第一基板、第一基板上的薄膜晶体管、薄膜晶体管上的平坦化层、平坦化层上的有机发光二极管、有机发光二极管上的钝化层、钝化层上的第二基板、以及第一基板与第二基板之间的氢吸附物质，氢吸附物质为了防止构成薄膜晶体管的物质的氧化，而使氢解离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：W2009/004690号公报

专利文献2：日本国公开专利公报“特开2015-36797号”

专利文献3：日本国公开专利公报“特开2015-79755号”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，在现有的显示装置中，无法在不损害光透射性的情况下适当地吸附氢。

解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的显示装置包括：显示区域，其具备设置有多个晶体管的TFT层、设置有多个发光元件的发光元件层和密封层；以及所述显示区域的周围的边框区域，所述发光元件包含：第一电极、以露出所述第一电极的方式设置开口并覆盖所述第一电极的端部的边缘罩、功能层和第二电极，第一氢吸附膜与所述边缘罩接触并设置于所述边缘罩的上层，在相邻的发光元件中，所述第一氢吸附膜与所述晶体管重叠，且隔着所述边缘罩与所述相邻的发光元件的所述第一电极重叠，并以横跨所述相邻的发光元件的方式设置。

发明效果

根据本发明的一个方式，可以在不损害光透射性的情况下适当地吸附氢。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的示意性剖视图。

图2是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的示意性俯视图。

图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的子像素电路的一个例子的图。

图4是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。

图5是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的制造方法的流程图。

图6是本发明的第二实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。

图7是本发明的第三实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。

具体实施方式

以下，“同层”意味着在同一工序中由相同材料形成的层。此外，“下层”指的是在比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比较对象层更后面的工序中形成的层。此外，在本说明书中，显示装置的由下层向上层的方向称为向上。

〔第一实施方式〕