[实用新型]一种能够实现超声波传感的电子设备有效

专利信息
申请号: 201820657935.0 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN208234545U 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 李扬渊 申请(专利权)人: 李扬渊
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00;G01D5/48
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 超声波传感器电路 下沉区 外接引线 覆盖板 基板 本实用新型 基板上表面 电子设备 超声波 结合层 传感 超声波信号 玻璃基板 接收过程 发射
【说明书】:

本实用新型公开一种能够实现超声波传感的电子设备,包括:基板,该基板为玻璃基板,该基板上表面边缘具有下沉区;超声波传感器电路,形成在所述基板上的非下沉区;外接引线,部分所述外接引线设置在所述下沉区;所述超声波传感器电路上方的覆盖板,所述覆盖板与所述超声波传感器电路之间包括结合层。本实用新型将外接引线安装在基板上表面的下沉区中,覆盖板的位置被降低,因此超声波传感器电路上方的结合层的厚度大大降低,降低了超声波信号在发射和接收过程中的损失。

技术领域

本实用新型专利涉及超声波传感领域。

背景技术

传统的超声波传感器是由基于压电陶瓷的单体超声波传感器组装,这种方案无法实现高密度点阵的超声波传感器,高密度点阵超声波传感器可通过mems工艺制造,但成本过高,高密度点阵超声波传感器还可基于TFT工艺,可用于指纹采集,在玻璃基板上的TFT(薄膜晶体管)阵列上覆盖压电薄膜的结构实现高密度点阵的超声波传感器结构,该超声波传感结构如图1所示。

如图1,超声波传感器电路16和焊盘14设置在玻璃基板11上;超声波传感器电路16包括形成在基板11上的像素电路以及压电薄膜等,像素电路包括TFT阵列,TFT阵列沉积在玻璃基板11上;基板11上包括焊盘14,外接引线15设置在基板的上方,并且外接引线15与超声波传感器电路16通过焊盘电连接;覆盖板13通过结合层12设置在超声波传感器电路16的上方。

超声波传感器电路16发射的超声波信号穿过结合层12和覆盖板13被探测目标反射,反射后的超声波信号再经过覆盖板13和结合层12被超声波传感器电路16接收,由于结合层12刚度低,对超声波接收较强,超声波信号损失与结合层的厚度正相关。外接引线远大于超声波传感器电路的厚度,抬高了覆盖板13的安装位置,导致结合层厚度由外接引线和超声波传感器电路的厚度差影响,该厚度差越大,则结合层厚度越厚,超声波信号损失越大。实用新型内容

本实用新型公开一种能够实现超声波传感的电子设备,包括玻璃基板,该基板上表面边缘具有下沉区;超声波传感器电路,形成在所述基板上的非下沉区;外接引线,部分所述外接引线设置在所述下沉区;所述超声波传感器电路上方的覆盖板,所述覆盖板与所述超声波传感器电路之间包括结合层。

本实用新型将外接引线安装在基板的下沉区中,覆盖板的位置被降低,因此超声波传感器电路上方的结合层的厚度大大降低,降低了超声波信号在发射和接收过程中的损失。

附图说明

图1是现有的能够实现超声波传感的电子设备;

图2是本实用新型实施例的能够实现超声波传感的电子设备;

图3A-D是本实用新型实施例的能够实现超声波传感的电子设备的制造方法的示意图;

图4是本实用新型实施例的基板的示意图。

具体实施方式

如图2所示,本实用新型的电子设备包括基板21,该基板21为玻璃基板。基板21上表面边缘具有下沉区28,超声波传感器电路26形成在基板21上的非下沉区,部分外接引线25设置在下沉区28中,该外接引线可以是柔性电路板或者打线形成的金属线,因此外接引线25表面水平高度降低,优选地,外接引线25表面的水平高度不超过超声波传感器电路26表面的水平高度。优选地,下沉区28中设置电极24,电极24与外接引线25电连接,电极24与所述超声波传感器电路26电连接。覆盖板23设置在超声波传感器电路26上,覆盖板23与超声波传感器电路26之间包括结合层22。

超声波传感器电路26发射的超声波信号经过结合层22以及覆盖板23到达探测目标,超声波被探测目标反射后,再穿过覆盖板23和结合层22被超声波传感器电路26接收。由于外接引线25设置在下沉区中,外接引线25表面的水平高度降低,因此相对于现有技术,覆盖板23与超声波传感器电路26之间的距离被缩小,结合层22的厚度被降低,降低超声波信号的损耗。

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