[发明专利]一种高功率超宽带介质衰减器在审
| 申请号： | 201811004246.0 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN108767384A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 付玉芹;许庆波 | 申请（专利权）人： | 安徽禄讯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 苏友娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衰减器 中心套筒 超宽带 高功率 衰减片 输出端口 输入端口 腔体 导电银浆 厚膜电路 频率变化 腔体设置 丝网印刷 衰减量 悬置 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，包括腔体、输入端口和输出端口；
所述输入端口和所述输出端口分别设置在所述腔体的两侧；
所述腔体设置有中心套筒，所述中心套筒中悬置有衰减片，所述衰减片通过导电银浆带与所述中心套筒接触；
所述衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路。
2.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述腔体材质为氧化铍陶瓷，所述氧化铍陶瓷为高温烧结炉烧结制成。
3.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述中心套筒的外部套接有散热片。
4.如权利要求3所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述散热片沿所述中心套筒轴向设置。
5.如权利要求3所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述散热片为铝合金结构，所述散热片的外表面设有电泳氧化发黑层。
6.如权利要求1-5任一项所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述衰减片通过插针连接所述输入端口和所述输出端口。
7.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述输入端口和所述输出端口与所述腔体连接处设置有防水密封圈。
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