[发明专利]一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法，其特征在于，包括复杂构件近净尺寸1∶1比例碳泡沫模型制备、1∶1比例近净尺寸碳化硅纳米线预制体原位生长成型、氧化去除碳泡沫基体、CVI增强增密。碳化硅陶瓷基复合材料由碳化硅纳米线预制体与碳化硅基体组成，密度为2.6-2.8g/cm3。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将三聚氰胺泡沫在1100℃高温下完全热解，得到多孔碳泡棉基体；

(2)将(1)中制备的多孔碳泡沫基体通过加工为预制备的复杂构件1∶1比例模型，浸渍于浓度为0.01-0.1mol/L的催化剂溶液中，在90℃下干燥，备用；

(3)将所述步骤(2)得到的浸渍了催化剂的碳泡沫模型放置于真空管式炉中，在1100℃以比例1∶10∶10通入三氯甲基硅烷，氩气，氢气，生长碳化硅纳米线8-10h，将管式炉温度降至500℃，保温；

(4)在所述步骤(3)完成后通入氧气，然后保温1-2h，之后随炉冷却至室温，即得到碳化硅纳米线组成的近净尺寸复杂构件预制体。

(5)将(4)中得到的复杂构件碳化硅纳米线预制体放入管式炉中，在1150℃以比例3∶10∶10通入三氯甲基硅烷、氩气、氢气，在碳化硅纳米线预制体内部沉积碳化硅基体200-300h，得到碳化硅陶瓷基复合材料近净尺寸复杂构件。