[发明专利]插入式连接器在审

专利信息
申请号: 201810177234.1 申请日: 2018-03-05
公开(公告)号: CN108574161A 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: U·蔡格迈斯特 申请(专利权)人: 迪尔金属应用有限公司
主分类号: H01R13/03 分类号: H01R13/03
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 许剑桦
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 插入式连接器 压入体 非晶体层 纳米晶体 涂覆
【说明书】:

发明涉及一种包括压入体(2)的插入式连接器(1),该压入体(2)涂覆有第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4),其中第一和/或第二含Ni层是纳米晶体或非晶体层。

技术领域

本发明涉及一种插入式连接器。

背景技术

适于插入或压入电路板的孔中的插入式连接器由例如DE102008042824A1已知。该插入式连接器有近似圆柱形区域,插入电路板中的插入式连接器在该区域中建立与电路板的电接触,下文中,该区域将称为接触区域。传统的插入式连接器有压入体,该压入体能够由铜、青铜或CuSn6制成。压入体涂覆有两层,这两层布置成至少局部相互重叠,其中,外部层包括硫醇。该硫醇用作钝化剂或润滑剂,以便限制在压入过程中所需的压入力。这种插入式连接器的缺点是在接触区域中需要有机中间层,该有机中间层对电特性有不利影响。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺点。特别是,将提供一种插入式连接器,该插入式连接器能够使用较低压入力而压入电路板中,且制造简单。

该目的通过权利要求1的特征来实现。本发明的优选实施例能够由从属权利要求中得出。

根据本发明,提供了一种插入式连接器,该插入式连接器包括压入体,该压入体涂覆有第一含Ni层和第二含Ni层的,其中,第一和/或第二含Ni层是纳米晶体或非晶体层。

第一含Ni层和第二含Ni层有不同数量级的颗粒尺寸。特别是,一个层能够是微晶体,另一层能够是纳米晶体或非晶体。为了本发明目的,“微晶体”的意思是颗粒尺寸在从0.3μm至7μm的范围内,特别是从0.5μm至3μm。为了本发明目的,“纳米晶体”的意思是颗粒尺寸为从4nm至200nm,特别是从4nm至100nm,特别是从4nm至80nm,特别是4nm至60nm。为了本发明目的,“非晶体”的意思是不能通过常规方法(例如X射线衍射、电子衍射或透射电子显微镜)而检测到晶体。

特别是,含Ni层不含有任何可感知量的有机杂质。含Ni层优选是含有至少80%重量百分比的镍,特别是至少90%重量百分比的镍。含Ni层特别优选是含有至少95%重量百分比的镍,特别是至少97%重量百分比的镍。第一和第二含Ni层至少局部重叠,且它们优选是在其整个区域上重叠。

本发明的插入式连接器的优点是它能够通过电化学涂层来进行涂覆,例如带状电镀。通过有机助剂(organic auxiliary)产生的分离涂层并不是必须。因此,本发明的插入式连接器没有任何有机涂层,特别是在它压入电路板时与该电路板接触的接触区域中。

在优选实施例中,一个含Ni层是亚光镍,另一含Ni层是光亮镍。为了本发明目的,光亮镍是具有光滑和光泽表面的镍涂层。亚光镍具有亚光(即相对粗糙)的表面。已知电解质用于生产光亮镍或亚光镍。

在还一实施例中,本发明的插入式连接器的第一或第二含Ni层是非晶体层,它包含直至15%重量百分比的磷,特别是直至10%重量百分比的磷。非晶体含Ni层能够通过添加磷而稳定。

纳米晶体和/或非晶体层优选是具有从0.1至3μm的厚度,特别是从0.1至2.2μm,特别是从0.1至1μm,特别是从0.1至0.7μm,特别是从0.1至0.3μm。在压入体上的层顺序能够特别从表1中所示的层顺序中选择:

表1

在优选实施例中,本发明的插入式连接器的压入体包括铜、铜合金或钢。特别是,铜合金能够是由以下构成的合金:CuFe、FuFe2P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn4、CuSn6或CuSn8

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