[发明专利]一种SiC-BJT的单电源驱动电路

权利要求书

1.一种SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，包括

数字逻辑控制电路，其输入端连接外部方波信号，用于产生第一控制信号(S1)、第二控制信号(S2)和第三控制信号(S3)；

恒流支路，其输入端在所述第一控制信号(S1)的控制下连接电源电位(Vcc)或地电位，其输出端连接所述SiC-BJT的基极；

正脉冲支路，其输入端在所述第二控制信号(S2)的控制下连接电源电位(Vcc)或开路，其输出端连接所述SiC-BJT的基极；

负脉冲支路，其输入在所述第三控制信号(S3)的控制下连接地电位或开路，其输出端连接所述SiC-BJT的基极。

2.根据权利要求1所述的SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，所述恒流支路包括第一PMOS管(MP1)、第一NMOS管(MN1)、限流电阻(Rb)和第一整流二极管(D1)，

第一PMOS管(MP1)和第一NMOS管(MN1)的基极互连并连接所述第一控制信号(S1)，其漏极也互连并连接第一整流二极管(D1)的阳极，第一PMOS管(MP1)的源极连接电源电位(Vcc)，第一NMOS管(MN1)的源极连接地电位；

限流电阻(Rb)的一端连接第一整流二极管(D1)的阴极，另一端作为所述恒流支路的输出端。

3.根据权利要求1或2所述的SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，所述正脉冲支路包括第二NMOS管(MN2)和第二整流二极管(D2)，

第二NMOS管(MN2)的基极连接所述第二控制信号(S2)，其漏极连接电源电位(Vcc)，其源极连接第二整流二极管(D2)的阳极；

第二整流二极管(D2)的阴极作为所述正脉冲支路的输出。

4.根据权利要求1或3所述的SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，所述负脉冲支路包括第三NMOS管(MN3)和第三整流二极管(D3)，

第三NMOS管(MN3)的基极连接所述第三控制信号(S3)，其漏极连接第三整流二极管(D3)的阴极，其源极连接地电位；

第三整流二极管(D3)的阳极作为所述负脉冲支路的输出端。

5.根据权利要求4所述的SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，所述第一PMOS管(MP1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)为Si MOSFET。

6.根据权利要求1或4所述的SiC-BJT的单电源驱动电路，其特征在于，所述数字逻辑控制电路包括第一反相器(inv1)、第二反相器(inv2)、第三反相器(inv3)、第四反相器(inv4)、二输入与非门(nand2)、充放电电容(Ct)、比较器(Comp)、第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)，

第一反相器(inv1)的输入端连接二输入与非门(nand2)的第一输入端并作为所述数字逻辑控制电路的输入端，其输出端连接第二反相器(inv2)的输入端并输出所述第三控制信号(S3)；

第四反相器(inv4)的输入端连接第二反相器(inv2)的输出端和第三反相器(inv3)的输入端，其输出端输出所述第一控制信号(S1)；

二输入与非门(nand2)的第二输入端连接第三反相器(inv3)的输出端并通过充放电电容(Ct)后连接地电位，其输出端连接比较器(Comp)的负向输入端；

第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)串联，其串联点连接比较器(Comp)的正向输入端，第一分压电阻(R1)的另一端连接电源电位，第二分压电阻(R2)的另一端连接地电位；

比较器(Comp)的输出端输出所述第二控制信号(S2)。